近日，第七屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會(huì)展中心舉行。本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。
期間，由北京一徑科技有限公司、廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司、廣東晶科電子股份有限公司、上海瞻芯電子科技有限公司協(xié)辦支持的“車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)“如期舉行。會(huì)上，上海瞻芯電子科技有限公司應(yīng)用工程師楊義帶來了題為”SiC MOSFET多管并聯(lián)均流驅(qū)動(dòng)技術(shù)探討“的主題報(bào)告，報(bào)告結(jié)合多管并聯(lián)測(cè)試條件，詳細(xì)分享了SiC單管并聯(lián)開通過程均流影響因子分析、IVCR1412 SiC專用驅(qū)動(dòng)和傳統(tǒng)并聯(lián)驅(qū)動(dòng)方案均流對(duì)比分析、功率器件并聯(lián)功率回路雜散電感影響與結(jié)溫對(duì)均流的影響等內(nèi)容。
報(bào)告指出，SiC功率器件的Vth、Rds(on)、Cgs、Cgd 和柵極電阻不一致都會(huì)對(duì)并聯(lián)產(chǎn)生負(fù)面影響，使用傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)方式時(shí)，盡量挑選一致器件并聯(lián)使用。使用IVCR1412驅(qū)動(dòng)SiC并聯(lián)，能容忍更大的Vth偏差，?Vth=0.6V未出現(xiàn)不均流情況。
使用傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)SiC并聯(lián)，驅(qū)動(dòng)回路和功率回路電感的差異對(duì)均流影響較大，在功率器件參數(shù)一致情況下，可能出現(xiàn)電流不均流嚴(yán)重的情況。使用IVCR1412能減弱功率回路對(duì)驅(qū)動(dòng)回路耦合，減弱漏感失配導(dǎo)致不均流惡化的情況。在SiC器件多管并聯(lián)應(yīng)用中，應(yīng)盡量做到器件一致、結(jié)構(gòu)對(duì)稱、雜散優(yōu)化。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解）
