氮化鋁（AlN）是超寬禁帶半導體材料的典型代表，具有寬帶隙、高激子結合能、高熔點、高臨界擊穿場強、高硬度、高熱導率、高溫熱穩定性和耐化學腐蝕等優異特性，是制作紫外光電器件以及大功率、高頻電子器件的理想材料，現已被國家列為“戰略性先進電子材料”。

近日，第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。期間，“氮化物半導體襯底與外延技術“分論壇上，深圳大學物理與光電工程學院副院長、教授武紅磊做了題為“氮化鋁晶體PVT生長裝置及技術研究”的主題報告，分享了最新研究進展。

 

報告主要開展氮化鋁晶體物理氣相傳輸法（PVT）制備裝置及技術研究，包括：研究氮化鋁晶體的PVT生長習性及對制備裝置的特殊要求，以及達到這些特殊要求的途徑和方法；通過自行設計的裝置，探索大尺寸氮化鋁單晶的生長技術；對不同顏色晶體進行分析，研究氮化鋁晶體呈現有色的原因，探索本征缺陷、雜質等的影響，并通過工藝優化，實現無色英寸級氮化鋁單晶制備。

 

武紅磊博士，深圳大學物理與光電工程學院副院長，光電子器件與系統教育部重點實驗室（深圳大學）副主任，深圳大學優秀學者，廣東省重大科技項目首席科學家。自2004年起一直從事超寬禁帶半導體材料-氮化鋁晶體的制備及相關器件研究。主持、參與973項目、國家自然科學基金重點項目等國家級項目6項、廣東省重點領域重大科技專項1項及深圳市項目8項；在ACS Photonics、Advanced Materials等國內外知名學術期刊等發表學術論文40余篇；申請專利30余項，授權21項，編寫氮化鋁晶體研究英文專著一本；設計了國內首臺氮化鋁晶體的專用生長裝置，并逐步完善實現生長裝置的定型；深入研究晶體生長，實現英寸級、無色氮化鋁晶體的可靠制備，并形成了具有知識產權保護的生長技術體系。

 

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）