上海芯元基半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱：芯元基）利用其獨立知識產(chǎn)權(quán)的DPSS襯底技術(shù)、側(cè)向外延生長技術(shù)和化學(xué)剝離藍寶石襯底技術(shù)成功開發(fā)出了10微米-50微米的GaN基薄膜倒裝Micro LED芯片，相比行業(yè)現(xiàn)有的激光剝離藍寶石襯底技術(shù)，芯元基首創(chuàng)的化學(xué)剝離藍寶石襯底技術(shù)不僅能夠?qū)崿F(xiàn)100%的剝離良率，而且對GaN，特別是InGaN量子阱毫無損傷，規(guī)模化量產(chǎn)后的成本優(yōu)勢非常明顯。
芯元基的側(cè)向外延生產(chǎn)技術(shù)不僅可以把GaN外延層中的位錯密度降到107cm-2，而且還可以控制位錯的位置，使得我們可以把Micro LED陣列安排到?jīng)]有位錯的位置，從根本上解決困擾行業(yè)的不均性問題。
芯元基獨創(chuàng)的化學(xué)剝離技術(shù)，不僅可以保證100%的剝離良率，而且還和現(xiàn)有的半導(dǎo)體晶元加工技術(shù)有非常好的兼容性，可以利用現(xiàn)有的半導(dǎo)體晶元臨時鍵合技術(shù)實現(xiàn)晶元級巨量轉(zhuǎn)移，從而加速Micro LED顯示產(chǎn)業(yè)化的進程。
溝槽結(jié)構(gòu)芯片陣列圖
在芯片結(jié)構(gòu)上，利用溝槽結(jié)構(gòu)取代了常規(guī)的臺面結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了P電極和N電極的等高，解決了驅(qū)動背板上的焊點和芯片電極高度不匹配的問題；芯元基的芯片工藝保證了芯片只有一個具有納米粗化結(jié)構(gòu)的出光面，芯片的四周及其底部具有相應(yīng)的反射結(jié)構(gòu)，解決了顯示光串?dāng)_問題的同時，可以進一步提高顯示的亮度。
上述芯片可應(yīng)用于車載顯示、AR/VR等新興市場，芯元基已經(jīng)開始與國內(nèi)知名廠商展開合作，送樣測試。同時，芯元基設(shè)計了一款尺寸為16*27微米的薄膜倒裝芯片可以隨時給意向客戶送樣測試，出貨方式上，可通過批量轉(zhuǎn)移技術(shù)將芯片轉(zhuǎn)移到客戶定制的柔性材料上或者鍵合在臨時背板上，便于客戶使用。
芯元基半導(dǎo)體
芯元基半導(dǎo)體
上海芯元基半導(dǎo)體成立于2014年，是基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵材料為主研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)芯片的創(chuàng)新型公司。公司擁有全球首創(chuàng)的以復(fù)合圖形化襯底和化學(xué)剝離為核心的技術(shù)體系，并擁有完整自主知識產(chǎn)權(quán)。目前已獲中微半導(dǎo)體、上海創(chuàng)徒、張江科投、張江高科、浦東科創(chuàng)、上海自貿(mào)區(qū)基金等逾億元投資。
