據外媒報道，中國硅基GaN功率半導體IDM龍頭英諾賽科宣布正式啟動國際業務，通過在美國硅谷及比利時魯汶增設設計及銷售辦公室，為客戶提供更好的支持與服務。

 

放眼全球，英諾賽科市占率攀升

 

英諾賽科于2015年在珠海成立，專注于8英寸硅基GaN的研發、生產與制造，核心技術包含外延、器件及工藝，現擁有珠海和蘇州兩大晶圓生產基地，同時在國內多個城市以及北美、歐洲均設立了應用和分銷機構。

 

對于這個GaN龍頭廠商來說，目標從來都不是國內領先，而是國際領先。

 

根據TrendForce集邦咨詢分析，在2020-2021年全球GaN功率廠商出貨量占有率前十廠商中，英諾賽科得益于其高壓、低壓GaN產品出貨量顯著增長，排名躍居第三位，市占率從2020年的6%大幅提升至2021年的20%。除此之外，其GaN快充產品也首次打入了一線筆電廠商的供應鏈，并試圖在工業、汽車市場開拓新的利潤增長點。 

 

如今，國際業務已正式啟動，表明英諾賽科將以更快的速度進軍國際市場。未來，其GaN產品在全球市場的占有率有望進一步提升。英諾賽科美國總經理Yi Sun坦言，未來公司將更好地為美國的客戶（尤其是舊金山灣區的客戶）服務。英諾賽科歐洲總經理Denis Marcon則表示，GaN發展正當時，公司已做好充分準備服務全球市場。

 

 

市占率攀升、國際影響力提升，這些成功背后的支撐可以說是高性價比的產品和充足的產能。

 

根據英諾賽科高級經理賀鵬在2021年集邦咨詢化合物半導體應用前瞻分析會上透露，英諾賽科珠海生產基地具備了4000的月產能，蘇州生產基地具備6000-10000片的月產能，未來蘇州基地滿產后月產能將達到65000片。而據外媒報道，英諾賽科8英寸月產能預計今年晚些時候將增加至14000片/月，到2025年之前可達70000片/月。

 

產品部分，目前硅基GaN器件涵蓋30V-650V，出貨量已超過3500萬個，廣泛應用于USB PD充電器與適配器、數據中心、移動手機及LED驅動電源等多個領域。

 

在8英寸硅基GaN核心技術上，英諾賽科優化了外延工藝，以獲得均勻、可重復和堅固的8英寸GaN-on-Si外延片。此外，英諾賽科還優化了工藝技術，擴大了工藝窗口等，以此來獲得可大規模量產的工藝及更高晶圓的利用率，開發具有高再現性和高良率的晶圓。

 

例如，英諾賽科在外延結構上加入了應力增強層，可在不影響閾值電壓及漏電等其他參數的條件下，顯著降低RDS(on)參數，從而開發高品質常關/E-mode GaN FET（氮化鎵場效晶體管）。目前，其硅基GaN器件已通過了超越JEDEC（聯合電子設備工程委員會）標準的質量和可靠性測試。

 

總的來說，憑借經優化的外延和器件工藝，英諾賽科成功實現8英寸硅基GaN晶圓和器件的大規模量產并降低生產成本，為客戶提供具備高性能、高可靠性、高質量的產品。

 

英諾賽科歐洲總經理Denis Marcon認為，在市場同類產品中，英諾賽科的產品可在價格上取勝；與此同時，在缺芯背景下，公司的產能也足以保障供貨能力，滿足客戶的需求。未來，英諾賽科期待攜手更多合作伙伴，共同推動GaN滲透全球電子行業。