第三代半導體因其高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高鍵合能等優(yōu)點，可以滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求，目前主要應用于光電、電力電子、微波射頻等領(lǐng)域。其中，碳化硅和氮化鎵技術(shù)發(fā)展相對成熟，已經(jīng)開始產(chǎn)業(yè)化應用。
據(jù)TrendForce集邦咨詢此前報告顯示，受益于新能源汽車、光伏儲能、智能電網(wǎng)、工業(yè)自動化等下游應用市場需求的多點爆發(fā)，功率半導體市場迎來了此輪高景氣周期。
TrendForce集邦咨詢分析2025年第三代半導體SiC/GaN功率市場規(guī)模合計可達47.1億美元，相比2020年7.3億美元，CAGR達45%。
憑借性能優(yōu)勢與對應用市場的樂觀預測，第三代半導體備受追捧。近期晶方科技、長電科技、東微半導、中瓷電子紛紛加碼第三代半導體。
晶方科技2000萬美元投資GaN器件設計公司VisIC
2月8日，晶方科技發(fā)布公告稱，已與以色列VisIC Technologies Ltd.洽談股權(quán)合作，并由蘇州晶方貳號集成電路產(chǎn)業(yè)基金合伙企業(yè)（有限合伙）投資2,000萬美元，持有VisIC公司13.7%的股權(quán)。目前投資交割的相關(guān)手續(xù)已履行完畢。
圖片來源：晶方科技公告截圖
對于此次投資，晶方科技表示，公司依據(jù)自身戰(zhàn)略規(guī)劃投資VisIC公司，進一步加強股權(quán)合作，積極布局前沿半導體技術(shù)，并充分利用自身先進封裝方面的產(chǎn)業(yè)和技術(shù)能力，以期能有效把握三代半導體在新能源汽車領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇。
公開資料顯示，VisIC公司為全球領(lǐng)先的第三代半導體GaN（氮化鎵）器件設計公司，申請布局了D3GaN技術(shù)的關(guān)鍵專利，在此基礎(chǔ)上成功開發(fā)了硅基氮化鎵大功率晶體管和模塊，正在將其推向EV電動汽車市場，產(chǎn)品可廣泛使用于電能轉(zhuǎn)換、快速充電、射頻和功率器件等應用領(lǐng)域。
公開報道顯示，全球汽車行業(yè)供應商采埃孚集團和半導體行業(yè)龍頭臺積電均是VisIC公司的合作伙伴。
長電科技已出貨第三代半導體封測產(chǎn)品
2月7日，長電科技在互動平臺表示，目前長電科技在中國廠區(qū)已布局絕緣柵雙極晶體管（IGBT）封裝業(yè)務，鎖定車用電子和工業(yè)領(lǐng)域，同時具備碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）芯片封裝和測試能力，目前已在太陽能和車用充電樁出貨第三代半導體封測產(chǎn)品。
圖片來源：上證e互動
公開資料顯示，長電科技是全球領(lǐng)先的集成電路制造和技術(shù)服務提供商，提供全方位的芯片成品制造一站式服務，包括集成電路的系統(tǒng)集成、設計仿真、技術(shù)開發(fā)、產(chǎn)品認證、晶圓中測、晶圓級中道封裝測試、系統(tǒng)級封裝測試、芯片成品測試等。
此外值得一提的是，長電科技1月24日公布了2021年業(yè)績預告，預估去年歸屬于上市公司股東凈利潤為28億-30.8億元，較2020年成長114.72%-136.2%。
東微半導布局IGBT和SiC器件
2月8日，東微半導日前發(fā)布了首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市發(fā)行結(jié)果公告。
圖片來源：東微半導公告截圖
其招股書顯示，東微半導本次IPO募投項目包括：超級結(jié)與屏蔽柵功率器件產(chǎn)品升級及產(chǎn)業(yè)化項目、新結(jié)構(gòu)功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、研發(fā)工程中心建設項目、科技與發(fā)展儲備資金。
其中，超級結(jié)與屏蔽柵功率器件產(chǎn)品升級及產(chǎn)業(yè)化項目基于公司深槽超級結(jié)技術(shù)以及屏蔽柵技術(shù)的豐富積累，對高壓超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品及中低壓屏蔽柵MOSFET產(chǎn)品的設計及工藝技術(shù)等方面進行改進和提升。
新結(jié)構(gòu)功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目依托公司在功率器件領(lǐng)域多年的研發(fā)及技術(shù)積累，擬在未來三年陸續(xù)推出下一代高速IGBT和超級硅MOSFET以及新一代高速大電流功率器件產(chǎn)品。
研發(fā)工程中心建設項目則在SiC器件、新型硅基高壓功率器件方向進行布局，此項目于2021年7月立項。
中瓷電子并購中電科十三所氮化鎵芯片業(yè)務
近期，中瓷電子發(fā)布公告，擬向中國電科十三所發(fā)行股份購買其持有的氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務資產(chǎn)及負債，以及中國電科十三所等股東持有的博威公司和國聯(lián)萬眾的部分股權(quán)或全部股權(quán)。
圖片來源：中瓷電子公告截圖
公開資料顯示，中國電科十三所氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務主要產(chǎn)品為氮化鎵射頻芯片，頻率覆蓋無線通信主要頻段，芯片指標達到國內(nèi)領(lǐng)先水平，是國內(nèi)少數(shù)實現(xiàn)批量供貨主體之一；博威公司主要產(chǎn)品包括氮化鎵通信基站射頻芯片與器件、微波點對點通信射頻芯片與器件等；國聯(lián)萬眾主要產(chǎn)品包括氮化鎵通信基站射頻芯片、碳化硅功率芯片等。
