據(jù)介紹，碳化硅材料已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略競(jìng)爭(zhēng)的新高地，對(duì)實(shí)現(xiàn)“雙碳”具有重要的戰(zhàn)略意義。因碳化硅具備高禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子飽和漂移速率等優(yōu)點(diǎn)，更適合開(kāi)發(fā)具有耐高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等優(yōu)勢(shì)的功率半導(dǎo)體器件，可有效突破傳統(tǒng)硅基材料的物理極限，已成為我國(guó)重點(diǎn)發(fā)展的戰(zhàn)略性先進(jìn)半導(dǎo)體。

 

2021年9月，中電科二所建設(shè)了碳化硅芯片mini線，并負(fù)責(zé)整線運(yùn)行和維護(hù)。針對(duì)整個(gè)項(xiàng)目時(shí)間緊、任務(wù)重的情況，研究所憑借自身的行業(yè)影響力和資源調(diào)配能力，在水、電、氣等配套條件完成后的30日內(nèi)，完成單機(jī)設(shè)備調(diào)試、碳化硅整線工藝調(diào)試，并成功產(chǎn)出碳化硅芯片，創(chuàng)造了山西速度。

 

中電科二所有關(guān)負(fù)責(zé)人表示，該項(xiàng)目的成功是落實(shí)我省“十四五”規(guī)劃將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)打造成新支柱產(chǎn)業(yè)取得的階段性重大成果，也代表著我省向半導(dǎo)體領(lǐng)域轉(zhuǎn)型發(fā)展道路上的一個(gè)重要進(jìn)展。下一步，研究所將全力以赴推進(jìn)實(shí)驗(yàn)室二期碳化硅芯片中試線和碳化硅器件智能封裝線的建設(shè)。