近日,廣州市工業和信息化局發布關于印發《廣州市半導體與集成電路產業發展行動計劃(2022-2024年)》(以下簡稱“《行動計劃》”)的通知。

圖片來源:廣州省工業和信息化局官網截圖
《行動計劃》提出了以下三大工作目標:
(一)產業規模快速增長。到2024年,年主營業務收入突破500億元,年均增長超過15%。培育5家以上銷售收入超億元的集成電路設計企業,建成較大規模特色工藝制程生產線,部分化合物半導體材料、器件生產能力國內領先,特種裝備及零部件發展初具規模。
(二)產業創新能力顯著提升。到2024年,全行業研發投入強度超過5%,發明專利密集度和質量位居全國前列。新組建5個以上半導體與集成電路領域的省級重點實驗室、工程實驗室等,建成2個以上公共技術服務平臺。
(三)產業布局更加完善。到2024年,一批龍頭企業國際話語權顯著提升,集聚一批創新能力強的“獨角獸”企業、細分領域“單項冠軍”和“專精特新”企業,產業鏈供應鏈國產化水平進一步提升,我市成為全國半導體與集成電路產業集聚區、人才匯聚地、創新示范區。
另外,《行動計劃》明確了2022-2024年廣州市的十大重點任務,包括推動產業特色集聚發展、提升高端芯片設計能力、做強做大芯片制造業、布局發展寬禁帶半導體、推動封裝測試業高端化發展、引進培育高端材料重點裝備企業、支持公共服務平臺建設、完善產業投融資環境、強化應用需求牽引作用、深化行業交流合作。
(一)推動產業特色集聚發展。優化產業發展布局,打造“一核兩極多點”的產業格局。以黃埔區為核心,建設綜合性半導體與集成電路產業聚集區,圍繞集成電路制造,引入和培育一批高端芯片設計、關鍵材料設備、先進封裝測試企業和重點創新平臺。以增城區、南沙區為兩極,增城區主要聚焦智能傳感器和芯片制造等領域,充分發揮高校、新型研發機構的作用,加快大灣區智能傳感器產業園項目落地建設;南沙區重點打造寬禁帶半導體設計、制造和封裝測試全產業鏈基地。鼓勵越秀、荔灣、海珠、天河、白云、番禺、花都等區結合自身產業發展基礎和特色,加快半導體與集成電路相關產品的研發和產業化,推進半導體與集成電路產業創新應用。(責任單位:市工業和信息化局、發展改革委、科技局,各有關區政府)
(二)提升高端芯片設計能力。圍繞5G、新能源和智能網聯汽車、超高清視頻與新型顯示、物聯網與云平臺、智能安全、人工智能、衛星導航等優勢應用領域,在FPGA(現場可編程門陣列)、GPU(圖形處理器)、CPU(中央處理器)、存儲、視頻流加密、服務器密碼算法等高端數字芯片,電源管理、驅動、通信等高端模擬芯片,導航、藍牙等射頻芯片領域培育和引進一批具有自主知識產權和行業影響力的“單項冠軍”和“專精特新”企業。支持發展智能傳感器、射頻濾波器、光電器件等核心元器件的研發及產業化。(責任單位:市工業和信息化局、科技局,各有關區政府)
(三)做強做大芯片制造業。推動粵芯半導體二期、三期項目加快建設,支持加快建設高端模擬、數模混合芯片制造產線,拓寬模擬產品定制化工藝開發能力,快速擴充產能。支持本土整機、整車企業與芯片設計、制造企業合作,發展汽車用微控制單元、功率芯片、電源管理芯片、傳感器、高性能數模轉換芯片等車規級芯片和工業控制領域芯片。建設先進SOI(絕緣體上硅)工藝生產線,力爭引進張江國家實驗室,重點開展12英寸先進SOI工藝研發,推動與現有制造產線整合,建設FD-SOI(全耗盡絕緣體上硅)工藝研發線、RF-SOI(射頻絕緣體上硅)工藝生產線。(責任單位:市工業和信息化局、發展改革委、科技局,黃埔區、南沙區、增城區政府)
(四)布局發展寬禁帶半導體。支持碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體襯底、外延、設計及制造全產業鏈發展,支持龍頭企業發展IDM(垂直整合)模式。布局4-6英寸碳化硅襯底片、外延片生產線,加速8英寸項目研發及產業化,建設6-8英寸及以上碳化硅芯片生產線,支持建設硅基/碳化硅基氮化鎵功率/射頻器件生產線,實現工業級、車規級的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應晶體管)電力電子器件及面向雷達、基站等應用的射頻器件研發和量產。(責任單位:市工業和信息化局、發展改革委,黃埔區、增城區、南沙區政府)
(五)推動封裝測試業高端化發展。支持現有封裝測試企業依托市場需求,加快工藝技術升級和產能提升,壯大優勢封測企業,建設系統級封裝、晶圓級封裝等高端封裝技術生產線,引進國內外封裝測試龍頭企業建設先進封裝生產線,積極拓展MEMS傳感器、CMOS圖像傳感器(CIS)及模塊封裝能力。支持開發2.5D/3D異質集成、chiplet(芯粒)等先進封裝技術。(責任單位:市工業和信息化局、發展改革委,黃埔區、增城區政府)
(六)引進培育高端材料重點裝備企業。支持建設集成電路高端封裝基板及高端印制電路板、高端片式電容器、電感器、電阻器等關鍵電子元器件生產線,支持發展大硅片、光掩膜、電子氣體、光刻膠、高純靶材等高端半導體制造材料生產線項目,引進刻蝕機、離子注入機、清洗設備、沉積設備等半導體設備制造龍頭企業,補齊產業鏈空缺,構建完整產業生態。(責任單位:市工業和信息化局、發展改革委,各有關區政府)
(七)支持公共服務平臺建設。支持粵芯半導體和省內高校、科研機構合作,建設12英寸集成電路研發中試線,開展超越摩爾和異構集成研究,推動廣東省大灣區集成電路與系統應用研究院建設FD-SOI產業創新生態體系。加快建設集成電路設計公共服務平臺,提升在IP核(知識產權核)、EDA(電子設計自動化)軟件、MPW(多項目晶圓加工)、快速封裝、測試驗證、失效分析與可靠性評價、成果轉化、知識產權等方面的共性技術服務能力,爭創國家“芯火雙創”基地。推動張江國家實驗室廣州基地、西安電子科技大學(廣州研究院)第三代半導體創新中心加快建設。支持工業和信息化部電子第五研究所建設體系化的集成電路可靠性檢測分析能力及相關技術體系和標準,構建質量與可靠性基礎數據庫和基礎電子元器件檢測認證及試驗分析公共服務平臺。(責任單位:市工業和信息化局、科技局、發展改革委、市場監管局,各有關區政府)
(八)完善產業投融資環境。整合創新投融資機制,參與國家集成電路產業基金二期、組建省半導體及集成電路產業投資基金風險子資金,積極爭取國家、省集成電路產業基金加大對廣州集成電路產業的資金支持,最大化發揮基金的戰略引導和投資促進作用。引導和鼓勵天使基金和風險投資基金投資集成電路企業。支持各級信用擔保機構為符合條件的集成電路企業提供融資擔保服務。鼓勵支持集成電路企業在境內外上市融資及發行各類債務融資工具。(責任單位:市工業和信息化局、發展改革委、地方金融監管局、財政局,各有關區政府)
(九)強化應用需求牽引作用。以全市在5G、超高清視頻、智能網聯汽車、人工智能、高端裝備、智慧醫療、工業互聯網等優勢領域的強大應用需求為動力,鼓勵骨干應用企業與芯片設計企業通力合作,開展芯片應用驗證示范,建立“芯片-整機”聯動發展平臺,加速國產集成電路產品批量應用和迭代升級,推動自主可控芯片的規模化普及。(責任單位:市工業和信息化局、發展改革委、科技局,各有關區政府)