據媒體報道，聯電加速布局8英寸晶圓第三代半導體制造領域，自行購置蝕刻、薄膜新機臺，預計下半年將進駐8英寸AB廠。
在2021年年底，業界便有消息表明，聯電早已低調布局第三代半導體領域。其主要通過轉投資聯穎光電切入，鎖定6英寸氮化鎵；并與比利時微電子研究中心（IMEC）合作，進行技術研發合作。
據悉，聯穎光電為聯電子公司，主要提供6英寸氮化鎵晶圓代工服務，生產CMOS 制程的二極管、MOSFET 以及濾波器等。多年前聯電將旗下6英寸廠轉給聯穎光電。在2021年下半年開始，聯穎光電業績持續上升。市場也傳出聯穎打算辦理現金增資、擴展產能的消息。
聯電首席財務官劉啟東對此回應稱，集團在第三代半導體的發展上，仍以聯穎為主，聯電則進行研發，不過確實有在合作，但細節不便透露。聯電強調，在6英寸氮化鎵領域站穩腳步之后，也將展開碳化硅（SiC）布局，并朝8英寸晶圓發展。聯穎第三代半導體制程將以CMOS制程做轉換，未來有機會將伺機尋求生產擴充的空間。
