日前，賽微電子官微表示，公司與濰坊市青州市合作投建的“青州聚能國際硅基氮化鎵功率器件半導體制造項目”主廠房封頂。該項目于去年4月1日簽約。
圖片來源：賽微電子
據官微介紹，聚能國際硅基氮化鎵功率器件半導體制造項目計劃總投資10億元，規劃最終形成總體產能6萬片/年，一期產能3萬片/年。聚能國際一期產能建設投資5億元，總規劃占地面積40畝，建筑總面積約為1.3萬平方米，其中生產凈化車間建筑面積約為1萬平方米。
聚能國際首席運營官王永海表示，目前已完成基建施工和主體廠房封頂，下一階段啟動建設潔凈室機電工程，計劃在今年10月開始搬入設備，爭取在今年內完成設備的安裝與調試。
據了解，賽微電子于2018年7月投資設立聚能創芯，主要從事功率與微波器件，尤其是氮化鎵（GaN）功率與微波器件的設計、開發；于2018年6月投資設立聚能晶源，主要從事半導體材料，尤其是氮化鎵（GaN）外延材料的設計、開發、生產。截至目前，作為賽微電子GaN業務一級平臺公司，聚能創芯在6-8英寸硅基GaN外延晶圓、GaN功率器件及應用方面已形成系列產品。
