半導體產業網訊：日前，浙江廣芯微電子有限公司6英寸高端特色硅基晶圓代工項目（以下簡稱“廣芯微電子項目”）封頂。

 

消息顯示，廣芯微電子項目計劃總投資約24億元，總占地面積148畝，于2月11日正式開工建設。截至目前，項目已完成投資2.1億元，僅用109天，便實現總建筑面積4.56萬平方米的項目主體結構封頂。項目建設全部完成投產后，可實現年產折合6英寸240萬片特色工藝硅基功率半導體晶圓及年產3.6萬片第三代半導體碳化硅等晶圓的生產能力，年產值達30億元。

 

據了解，廣芯微電子項目的落戶為麗水經開區進一步完善功率半導體產業“硅片—晶圓代工—設計公司”的全產業鏈生態圈布局，初步形成了“材料、裝備、設計、制造、封測、應用”的半導體產業鏈雛形。

 

同日，民德電子公告表示，公司于2021年10月向浙江廣芯微電子增資人民幣6000萬元；2022年3月，民德電子向浙江廣芯微電子再次增資人民幣1.5億元。

 

公告指出，浙江廣芯微電子于2021年10月注冊成立，主營業務為高端特色工藝半導體晶圓代工業務，是公司smartIDM生態圈戰略的關鍵環節，一期規劃6英寸硅基120萬片/年的晶圓代工產能，目前正處于建設階段。

 

民德電子透露稱，廣芯微電子項目預計將于2023年上半年投產，項目投產后，將以公司成熟的MOS場效應二極管（MFER）產品為基礎，并逐步開拓IGBT、超級結MOS、SiC器件等中高端功率器件產品。