7月29日消息，半導體前道和先進晶圓級封裝應用提供晶圓工藝解決方案供應商盛美半導體設備近日推出新型化學機械研磨后（Post-CMP）清洗設備。這是盛美上海的第一款Post-CMP清洗設備，用于制造高質量襯底化學機械研磨(CMP)工藝之后的清洗。該清洗設備6英寸和8英寸的配置適用于碳化硅（SiC）襯底制造；8英寸和12英寸配置適用于硅片制造。該設備有濕進干出（WIDO）和干進干出（DIDO）兩種配置，并可選配2、4或6個腔體，擁有每小時60片晶圓的最大產能（WPH）。
盛美上海董事長王暉博士表示：“全球設備供應鏈的交付時間繼續延長，這為盛美上海提供了一個絕佳時機，我們可以憑借在半導體清洗工藝技術方面的豐富經驗進入清洗市場，進一步擴大清洗產品組合。Post-CMP清洗設備為盛美上海的客戶提供了一種穩定、可靠且具有成本效益的解決方案，同時還能縮短交貨時間，大大緩解短缺的現狀。”
在CMP步驟之后，需要在低溫下使用稀釋的化學品進行物理預清洗工藝，以減少顆粒數量。盛美上海的Post-CMP清洗設備能夠滿足這些要求，并提供多種配置，包括盛美上海獨創的 Smart MegasonixTM先進清洗技術。
第一種配置是新型WIDO在線預清洗設備，它可以直接與現有的CMP設備對接。晶圓自動轉移到兩個刷洗腔體中，使用化學和冷去離子水（CDIW）同時對晶圓正面、背面和斜面邊緣進行處理。然后將晶圓轉移至兩個或四個清洗腔體，并使用多種化學品和 CDIW 進行處理。這一過程通過氮氣（N2）干燥和高速旋轉完成，可實現37納米以下少于15個剩余顆粒的處理，或28納米以下20-25個剩余顆粒的處理，同時金屬污染可控制在1E+8（原子/平方厘米）以內。當配置4個腔體的時候，WIDO預清洗設備可提供高達每小時35片晶圓的產能。
第二種配置是新型DIDO預清洗獨立設備，它配有四個裝載端口，比WIDO預清洗設備占地面積更小，適用于CMP產線具有內置清洗腔的客戶，從而保持取出的晶圓干燥良好。在這種配置下，晶圓通過裝載端口手動轉移到預清洗設備中，然后進行與WIDO預清洗設備中相同的處理。DIDO預清洗設備有四腔或六腔配置，分別為兩個軟刷和兩個清洗腔體或兩個軟刷和四個清洗腔體。DIDO預清洗設備可實現與WIDO預清洗設備相同的金屬污染清洗效果。并且在使用配置六腔體設備時，產能可達到每小時60片晶圓。
第三種可用配置是WIDO離線預清洗設備，適用于晶圓廠占地面積較小的情況。使用該設備時，從CMP設備中出來后的濕晶圓需轉移到DIW中，并手動轉移至WIDO離線預清洗設備中，使用相同清洗工藝，可實現相同的顆粒清洗性能，產能可達每小時60片晶圓。
