近日，北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱“國聯(lián)萬眾”）公示碳化硅高壓功率模塊關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目環(huán)評報(bào)告表。 國聯(lián)萬眾成立于2015年3月，注冊資金12978萬元，由中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所控股，中國電子科技集團(tuán)公司、北京市投資公司、順義區(qū)投資公司、骨干團(tuán)隊(duì)合伙制平臺等股東參股。公司主營業(yè)務(wù)為第三代半導(dǎo)體氮化鎵/碳化硅芯片、器件，其中氮化鎵射頻功放芯片已成為埃賦隆（Ampleon）供應(yīng)商；公司研發(fā)生產(chǎn)的碳化硅電力電子二極管產(chǎn)品已投入市場；MOSFET已開發(fā)出產(chǎn)品，正在為格力、比亞迪等公司提供產(chǎn)品試用。

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