2022年8月26日，第四屆第三代半導體材料及裝備發展研討會在青島成功召開，本次研討會的主題是：需求與創新路徑。研討會由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟主辦，中國電子科技集團公司第二研究所承辦。中微半導體設備（上海）股份有限公司、北京北方華創微電子裝備有限公司、北京特思迪半導體設備有限公司、無錫邑文電子科技有限公司、山東力冠微電子裝備有限公司、香港應用科技研究院、江蘇星特亮科技有限公司、上海翱晶半導體科技有限公司協辦。
會議照片
中微半導體設備（上海）股份有限公司副總裁、MOCVD事業部總經理郭世平，廈門市三安集成電路有限公司副總經理孫希國，河北同光晶體有限公司副總經理王巍，中國科學院沈陽科學儀器股份有限公司副總經理趙崇凌，山東力冠微電子裝備有限公司技術副總姜良斌，季華實驗室高級工程師何嵩，Boschma中國區總監、高級工程師田天成，北京特思迪半導體設備有限公司技術總監梁浩，中國電子科技集團公司第四十八研究所半導體裝備研究部主任鞏小亮，無錫邑文電子科技有限公司副總經理葉國光，安徽長光先進半導體有限公司研發總監鈕應喜等來自產業鏈上下游的130多位專家學者及技術人員參會。中微半導體設備（上海）股份有限公司副總裁、MOCVD事業部總經理郭世平、中國電子科技集團公司第四十八研究所半導體裝備研究部主任鞏小亮共同主持研討會。
吳 玲 第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲發來視頻致辭。吳玲理事長指出，當前正值新的地緣政治環境下全球半導體競爭力重塑的關鍵歷史時期。第三代半導體是實現“雙碳”目標、“東數西算”戰略和保障國家產業安全的重要支撐。
吳玲理事長表示，國家“十三五”、“十四五”科技計劃持續支持第三代半導體，目前核心材料和器件已經解決有無問題，隨著一系列開放共享的國家級研發平臺陸續建立，我們對第三代半導體成為關鍵歷史時期的重要抓手和突破口充滿信心。但是，我們也要清醒認識到，裝備的國產化率仍然很低，設備性能有待提升，原材料和零部件配套缺乏自主保障，產業化水平亟待提高，產業鏈安全存在風險。未來五年市場快速啟動環境下，仍然面臨挑戰。
因此，我們仍然要堅定地以應用促發展，開展產學研深度合作，推動“百城億芯”示范工程，第三代半導體的裝備尤其需要上下游緊密合作，通過應用集成創新，培育龍頭企業，創造出大中小企業融通發展，創新體系和生態完善的良好局面，為第三代半導體健康、穩定、可持續地發展，形成國際上有影響力的產業高地而不斷努力。
在報告環節，廈門市三安集成電路有限公司副總經理孫希國分享了《第三代半導體進展與應用》的報告。
河北同光晶體有限公司副總經理王巍帶來了《新能源汽車應用助力碳化硅產業快速發展——碳化硅材料市場發展現狀及展望》的報告。
季華實驗室高級工程師何嵩分享了《SiC高溫外延生長爐 EPI150》的報告。
中國科學院沈陽科學儀器股份有限公司副總經理趙崇凌分享了《國產分子束外延設備的新進展》的報告。
北方華創微電子SiC外延技術經理劉廣政帶來了《碳化硅外延設備技術》的報告。
中微半導體公司副總裁、MOCVD事業部總經理郭世平分享了《氮化鎵外延設備技術進展》的報告。
國宏中宇科技發展有限公司總經理趙然分享了視頻報告《碳化硅襯底生產進展及裝備需求》。
中國電子科技集團公司第四十八研究所半導體裝備研究部主任鞏小亮分享了《第三代半導體芯片制造裝備技術發展趨勢及國產化進展》的報告。
山東力冠微電子裝備有限公司技術副總姜良斌帶來了《第三代半導體材料新型裝備國產化論述》的報告。
無錫邑文電子科技有限公司副總經理葉國光分享了《先進制程ALD設備國產化進展》。
北京特思迪半導體設備有限公司技術總監梁浩分享了《拋光技術在化合物半導體制造的應用》的報告。
Boschman中國區總監、高級工程師田天成分享了《SiC功率模塊核心封裝技術與設備》的報告。
討論環節從左至右分別是：郭世平、趙崇凌、蔡國基、劉廣政、姜良斌、王巍
之后的專題討論環節，共分兩個議題。第一個議題是襯底與外延環節，圍繞生長腔的溫度如何控制、如何實現高效率和高良率切割、如何實現高精度拋光、如何做好缺陷檢測等內容展開研討。
討論環節從左至右分別是：葉國光、鞏小亮、鈕應喜、梁浩、田天成
第二個議題是芯片器件與封裝環節，圍繞高溫離子注入技術的難點與對裝備的發展要求、高溫氧化、高溫退火關鍵技術問題與裝備支撐、SiC/GaN刻蝕技術與裝備發展面臨的問題、如何看待激光處理等新型工藝路線及裝備前景、封裝環節如何實現高效及精確化等內容展開討論。2個專題討論都十分熱烈，各對話嘉賓與現場參會人員也進行了深入交流。
