2022年11月7-10日， 一年一度行業盛會，第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS 2022）&第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2022）將于蘇州國際博覽中心召開。

國際第三代半導體論壇（IFWS）是第三代半導體產業在中國地區的年度盛會，是前瞻性、全球性、高層次的綜合性論壇。中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）是半導體照明領域最具規模、參與度最高、口碑最好的全球性專業論壇。兩大論壇同時同地舉辦，同臺匯力，相映生輝，放眼LED+和先進電子材料更廣闊的未來。

以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導體材料與其他先進電子材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及材料穩定性，在新一代深紫外光電器件、高壓大功率電力電子器件等意義重大的應用領域具有顯著的優勢和巨大的發展潛力，也越來越得打國內外的重視，此前美國更是宣布升級超寬禁帶半導體材料等技術出口限制。由于具有載流子遷移率高、載流子飽和漂移速率大、擊穿場強大等性能，金剛石是研制大功率、高溫、高頻等高性能半導體器件的理想材料，被行業譽為“終極半導體材料”。想要實現芯片級金剛石的工業化，需要克服提高金剛石純度、制作大尺寸金剛石薄片等一系列系統性技術挑戰。氧化鎵在耐壓、電流、功率、損耗等維度都有其優勢，大功率、高效率電子器件還處于實驗室階段的研發，在大規模實際應用方面還有欠缺。中國已將氧化鎵列入“十四五重點研發計劃”。美國目前正從前沿軍事技術布局的角度大力發展氧化鎵材料。隨著技術的進步，超寬禁帶材料會與寬禁帶半導體材料一起開拓更為廣闊的應用市場。

據組委會透露，大會籌備工作正有序推進中，其中本屆論壇的“超寬禁帶半導體材料與器件”技術分會由山東大學講席教授陶緒堂，中國科學技術大學微電子學院執行院長、教授龍世兵，西安電子科技大學副校長、教授張進成，鄭州大學學術副校長、教授單崇新，北京大學教授、北大東莞光電研究院院長王新強，西安交通大學教授王宏興，南京大學教授葉建東，鄭州大學教授劉玉懷，西安電子科技大學教授韓根全等也業內知名專家共同召集。分會上，將有來自英國布里斯托大學、西安電子科技大學、香港科技大學、中山大學、哈爾濱工業大學、復旦大學等國內外科研院所與代表企業的專家們將帶來一大波精彩報告，分享超寬禁帶半導體材料與器件領域的最新進展。

據了解，分會上，英國布里斯托大學新興技術系主任、教授Martin KUBALL將分享超寬帶隙Ga2O3技術-異質集成的好處。西安電子科技大學副校長張進成將帶來氧化鎵功率器件耐壓和功率優值研究的主題報告。西安電子科技大學教授韓根全將帶來關于氧化鎵異質結功率晶體管的主題報告，中山大學佛山研究院院長，中山大學半導體照明材料及器件國家地方聯合工程實驗室主任、教授王鋼將分享一種用于射頻諧振器的新型寬帶隙壓電半導體ε-Ga2O3的研究進展。哈爾濱工業大學教授朱嘉琦將分享關于金剛石功率器件、設備的研究成果。西安電子科技大學教授張金風將分享金剛石超寬帶隙半導體材料與器件的研究進展。

部分嘉賓簡介

陶緒堂，“超寬禁帶半導體材料與器件”技術分會召集人，山東大學講席教授。師從蔣民華教授。致力于晶體材料研究，提倡從體塊晶體到微納米晶體，從材料、器件到產業化應用的多維度、全鏈條研究理念。上世紀八十年代初開始有機金屬絡合物非線性光學晶體材料的探索研究,發現并生長了TSCCC, MHBA及雙硫氰酸鹽系列晶體。提出了從具有Λ型電荷轉移分子中探索非線性光學材料的思想,首次在有機高分子非線性光學材料中實現了雙折射位相匹配。開辟了從有機金屬絡合物高分子中探索非線性光學和電致發光復合材料的新領域,并首次報道了多分支高分子電致發光材料。在國內首次生長了LiInS2系列紅外晶體，生長了國際上最大的Nd:GGG晶體并獲得單片超過4500瓦的平均熱容激光輸出。在國內率先采用導模法生長?β-Ga2O3晶體，并達到實用要求。研制的微下拉單晶光纖生長設備填補了國內空白。在國際上首次開展了以BaTeMo2O9 (BTM) 為代表的一類新型光電功能單晶的合成、結構、生長、相變、晶體物理特性及光電器件應用等系統研究。首次生長了多種有機-無機復合鈣鈦礦晶體，提出了微距空氣升華法生長微納晶體的新方法，發現了可視化機械誘導單晶-單晶相變、 自修復單晶相變等現象。曾獲教育部科學技術進步一等獎、山東省科學技術進步一等獎、日本材料學會優秀報告獎。獲2015年、2016年度教育部自然科學二等獎。

龍世兵，“超寬禁帶半導體材料與器件”技術分會召集人，中國科學技術大學微電子學院執行院長、教授。長期從事微納加工、阻變存儲器、超寬禁帶半導體器件領域的研究。IEEE EDL/TED、Adv. Mater.等多種國際著名學術期刊的審稿人。主持國家自然科學基金、科技部（863、973、重大專項、重點研發計劃）、中科院等資助科研項目15項。在IEEE EDL等國際學術期刊和會議上發表論文100余篇，SCI他引3000余次，H因子30，2篇第一作者IEEE EDL論文入選ESI高引論文（累計引用居前1%的論文）。獲得/申請專利100余項。

單崇新，“超寬禁帶半導體材料與器件”技術分會召集人，鄭州大學學術副校長、教授。主要從事金剛石光電材料與器件研究，發表學術論文300余篇，被引用11000余次。先后主持國家重大儀器研制項目、國家自然科學基金委-河南省聯合基金重點項目等科研項目。

王新強，“超寬禁帶半導體材料與器件”技術分會召集人，北京大學教授、北大東莞光電研究院院長。長期從事寬禁帶半導體材料、物理與器件研究，取得了一系列創新成果。研究成果多次被英國半導體雜志“Semiconductor Today”報道。在Nature 子刊， Adv Mater，Nano Letters, Appl. Phys. Lett.等刊物上發表論文160余篇，SCI引用2300多次。在國際學術會議邀請報告近30次，受邀在兩部英文專著中撰寫了二章節，申請/獲得發明專利12項，擔任國家重點研究計劃項目負責人（首席），承擔國家“863”計劃重大項目等多項課題。

王宏興，“超寬禁帶半導體材料與器件”技術分會召集人，西安交通大學教授。2001年在日本德島大學獲得博士學位，其后作為高級研究員、執行董事、研發經理等職在日本Seki technotron 等公司工作。于2013年全職回國加入西安交通大學。主要研究領域為：半導體生長用MOCVD，MPCVD；III-V氮化物材料及發光器件；大尺寸單晶金剛石及電子器件；金剛石基GaN復合器件；量子光源及傳感器。多項成果被采納用于規模化生產。擁有100余項專利，發表文章120余篇。

葉建東，“超寬禁帶半導體材料與器件”技術分會召集人，長期從事寬禁帶氧化物半導體材料、物理與器件研究，主持和完成國家重點研發計劃課題、國家優秀青年基金、江蘇省杰出青年基金、江蘇省重點研發計劃等。在IEEE Power Electron. Dev., IEEE Electron Dev. Lett., IEEE Trans. Electron Dev., Appl. Phys. Lett等學術期刊上發表130余篇，受邀綜述3篇，專著1章，申請/授權發明專利15/7項。

劉玉懷，“超寬禁帶半導體材料與器件”技術分會召集人，鄭州大學教授。主要研究方向為氮化物半導體材料與器件，主持國家重點研發計劃政府間國際科技創新合作重點專項（基于氮化物半導體的深紫外激光器的研究）、國家自然科學基金面上項目、河南省科技攻關項目等12項。發表論文與會議報告215篇，國際會議邀請報告12次。日本專利公開1項、授權中國發明專利1項、實用新型項專利1項、軟件著作權5項。紫外LED技術轉移1項。目前主持第三批“智匯鄭州1125創新創業領軍團隊”三色LED集成芯片項目，參與寧波市2025重大科技專項“深紫外LED產業化”。

韓根全,“超寬禁帶半導體材料與器件”技術分會召集人，2015年加入中國西安電子科技大學。主要從事后摩爾新型微電子器件、芯片和Ga2O3功率器件研究。2019年創新發現不定型類鐵電柵介質材料并實現非易失晶體管器件，有望顛覆德國人發現的多晶摻雜HfO2基鐵電系列，推動非易失嵌入式存儲器在FinFET/Nanosheet FET等先進3D晶體管中的應用。2019年通過智能剝離和轉移技術（與中科院微系統所歐欣研究員合作）實現高導熱襯底的Ga2O3功率器件，徹底解決Ga2O3導熱問題，該成果為Compound Semiconductors網站報道，美國DARPA跟蹤研究。他發表了200 多篇技術論文和 30 項已授權/正在申請的專利。他是 IEEE Electron Device Letters 的編輯。

張進成,“超寬禁帶半導體材料與器件”技術分會召集人，西安電子科技大學副校長。寬禁帶半導體器件與集成電路國家工程研究中心副主任、寬帶半導體技術國家級重點實驗室副主任。主要研究領域為寬禁帶與超寬禁帶半導體材料與器件，是我國乃至國際上最早開展寬禁帶（第三代）半導體電子器件與材料研究的知名學者之一。獲得國家技術發明二等獎2項（排名第一和第二），省部級科技一等獎4項以及國家教學成果一等獎1項。

王鋼，中山大學佛山研究院院長，中山大學半導體照明材料及器件國家地方聯合工程實驗室主任、教授。主要從事寬禁帶氧化物半導體薄膜材料及器件外延制備技術、電子器件三維異構集成芯片3D打印制造技術、半導體材料高端裝備研發等方向的研究。

朱嘉琦，哈爾濱工業大學教授。主要從事晶體及薄膜等研究，擔任中國機械工程學會表面工程分會副主任，中國材料研究學會極端材料與器件分會副主任,中國儀表材料學會副理事長, Functional Diamond、Advanced Materials & Devices副主編，獲得中國青年科技獎、省青年五四獎章等榮譽，獲國家技術發明獎二等獎1項，黑龍江省技術發明一等獎2項。以負責人承擔國家自然科學基金6項（含重點1項）、重點研發計劃項目2項、國防基礎科研3項、預研計劃7項、軍品配套3項等科研項目。成果已應用于多種重點型號，并實現產業化。獲授權發明專利82項(轉讓21項)，在SCIENCE, ADVANCED MATERIALS等知名刊物發表200余篇學術論文，出版學術專著2部，譯著1部。

張金風，西安電子科技大學教授。主要研究氮化鎵(GaN) 和金剛石(C) 半導體材料和器件。出版國內第一部氮化物半導體領域專著《氮化物寬禁帶半導體材料和電子器件》（科學出版社, 2013）及其英文版（CRC Press, 2017）, 發表學術論文70余篇，授權國家發明專利10余項，獲得教育部高等學校科學研究優秀成果獎技術發明獎一等獎和陜西省科學技術獎一等獎。研究成果包括IEEE Electron Device Letters對中國金剛石場效應管研究的首次和第二次報道（均為2017年）和Applied Physics Letters首次對中國金剛石核探測器的研究報道（2020）。

更多論壇信息：

會議時間：2022年11月7日-10日

會議地點：中國 - 蘇州 - 蘇州國際博覽中心G館

日程安排

注冊權益收費表

備注：＊中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）或第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）成員單位在此基礎上再享受10%優惠。

＊學生參會需提交相關證件。

＊會議現場報到注冊不享受各種優惠政策。

＊IFWS相關會議包括：開幕大會、碳化硅襯底材料生長與加工、射頻電子材料與器件、碳化硅功率電子材料與器件、氮化物襯底材料生長與同質外延、超寬禁帶半導體材料與器件、固態紫外材料與器件、Mini/Micro LED及其他新型顯示技術、閉幕大會。

＊SSLCHINA相關會議包括：開幕大會、固態紫外材料與器件、半導體照明材料與封裝模組、Mini/Micro LED及其他新型顯示技術、生物農業光照技術、半導體激光器與光通信、教育照明與健康光環境、光醫療與健康、閉幕大會。

*產業峰會包括：生物農業光照技術與產業應用峰會、生物農業光照技術與產業應用峰會、車用半導體創新合作峰會、UV LED創新應用、Mini/Micro-LED技術產業應用峰會。

＊若由于某些原因，您繳費后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除一定的退款手續費。

＊自助餐包含：11月9日午餐和晚餐、10日午餐。

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