“在國創(chuàng)中心建設的基礎上，要將第三代半導體作為我省首批十大產(chǎn)業(yè)鏈之一，實現(xiàn)山西區(qū)域中心對技術(shù)鏈條及產(chǎn)業(yè)鏈條的帶動作用。”10月11日，作為國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心（山西）的牽頭建設單位，中國電子科技集團第二研究所（以下簡稱“中國電科二所”）有關負責人介紹說，國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心（山西）已邁入實際運行階段，科研團隊正圍繞核心關鍵技術(shù)展開重點攻關，并取得了階段性進展。

據(jù)介紹，國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心是按照“一體統(tǒng)籌規(guī)劃、多地分布布局、協(xié)同聯(lián)動創(chuàng)新”和“存量帶動增量”的建設思路，在科技部的統(tǒng)一指導下，由中國電科與相關省市協(xié)商設立，在北京、深圳、南京、蘇州、湖南、山西等地布局建設六個區(qū)域中心，有效銜接政府支持和企業(yè)需求，聯(lián)合行業(yè)龍頭企業(yè)，協(xié)同全國50余家科研機構(gòu)，初步形成一個“核心+基地+網(wǎng)絡”的創(chuàng)新格局。9月23日，國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心（以下簡稱“國創(chuàng)中心”）在北京市召開了第一屆理事會第一次會議，標志著國創(chuàng)中心正式邁入實際運行階段。

今年6月，國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心（山西）正式揭牌。國創(chuàng)中心的山西區(qū)域中心正是由中國電科二所牽頭建設，聯(lián)合省內(nèi)優(yōu)勢機構(gòu)和高校，針對國家第三代半導體戰(zhàn)略需求，結(jié)合我省經(jīng)濟轉(zhuǎn)型發(fā)展要求，集聚創(chuàng)新要素，深入開展第三代半導體關鍵技術(shù)和共性技術(shù)研發(fā)，將建設成為重大關鍵技術(shù)的供給源頭，產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展的創(chuàng)新高地，技術(shù)服務、成果轉(zhuǎn)化與創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)的眾創(chuàng)平臺。

“按照科技部和中國電科要求，國創(chuàng)中心各省市平臺陸續(xù)進入實體化運行模式。我們已聯(lián)合國創(chuàng)中心（山西）區(qū)域的其他共建單位，設立混合所有制實體化公司，主要發(fā)揮兼具科研院所和公司的特性，廣聚力量，研發(fā)核心技術(shù)，孵化科技成果，引領產(chǎn)業(yè)發(fā)展。”據(jù)中國電科二所有關負責人介紹，作為我省確定的首批“鏈主”企業(yè)，該所正以第三代半導體構(gòu)建千億級產(chǎn)業(yè)集群為契機，打造創(chuàng)新發(fā)展新動能，推動我省成為第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的引領者。

9月中旬，央視財經(jīng)頻道《經(jīng)濟信息聯(lián)播》欄目，已專題報道了中國電科二所在第三代半導體裝備領域取得的重要突破。原來，第三代半導體碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中最為重要的一個環(huán)節(jié)就是碳化硅襯底材料的制備，這種材料需要在2500攝氏度以上的高溫以及真空環(huán)境中生長。由于晶體生長工藝要求苛刻，因此對碳化硅單晶生長爐裝備提出了很高的要求。十年前，中國電科二所已開始涉足第三代半導體碳化硅裝備的研發(fā)，先后研發(fā)出碳化硅單晶生長爐、碳化硅粉料合成爐、碳化硅晶體退火爐、籽晶粘接爐等碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的多款核心裝備。

目前，按照山西區(qū)域中心的發(fā)展目標，中國電科二所已聯(lián)合太原科技大學、中北大學等共建單位，按照“揭榜掛帥”方式，針對第三代半導體研發(fā)過程中的11項核心關鍵技術(shù)展開重點攻關，并取得階段性進展。

其中，激光剝離科研團隊已掌握激光剝離技術(shù)原理與工程基礎，基于工藝與裝備協(xié)同研發(fā)，實現(xiàn)了4英寸、6英寸碳化硅單晶片的激光剝離；晶圓鍵合設備樣機研制成功，針對不同應用對象的要求，完成了系列化產(chǎn)品的開發(fā)；碳化硅單晶生長爐已完成智能化8英寸碳化硅單晶生長爐定型的設計工作，實現(xiàn)了外購件國產(chǎn)化替代；碳化硅單晶生長工藝研究，已生長出6英寸厚度大于35毫米的合格碳化硅晶體。

（來源：太原日報）