近日，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)化學(xué)物理系楊金龍教授課題組胡偉團(tuán)隊(duì)在二維鐵電Rashba材料領(lǐng)域取得進(jìn)展，研究成果以題為“High-Throughput Inverse Design for 2D Ferroelectric Rashbasemiconductors”發(fā)表在Journal of the American Chemical Society上。

自旋電子研究的一個(gè)重要領(lǐng)域是使用晶體管中的電子自旋來(lái)傳輸和處理信息。迄今為止，在自旋邏輯、磁控自旋電子學(xué)和半導(dǎo)體自旋電子學(xué)領(lǐng)域，已經(jīng)做出了許多努力來(lái)操縱編碼在自旋中的信息。在 Datta 和 Das 提出的自旋場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開(kāi)創(chuàng)性想法 30 多年后，許多實(shí)際限制仍然阻礙了晶體管的實(shí)施。由于磁性半導(dǎo)體需要低溫操作和外部磁場(chǎng)來(lái)控制自旋分布，希望找到非磁性半導(dǎo)體來(lái)操縱自旋電子器件中的自旋，而無(wú)需磁場(chǎng)和鐵磁材料的幫助。在這種情況下，一類(lèi)新型的鐵電 Rashba 半導(dǎo)體值得進(jìn)一步探索，因?yàn)榭梢酝ㄟ^(guò)非易失性電控制的鐵電極化反轉(zhuǎn)來(lái)逆轉(zhuǎn)它們的自旋分布。

圖1 Rashba效應(yīng)和鐵電性在二維材料中的設(shè)計(jì)原則。

圖2 同時(shí)具有Rashba效應(yīng)和鐵電性的二維半導(dǎo)體材料的篩選流程。

然后，課題組進(jìn)行高通量密度泛函理論計(jì)算研究上述三種類(lèi)型的結(jié)構(gòu)。15個(gè)A 2 P 2 X 6單層、11個(gè)ABP 2 X 6單層和47個(gè)AB單層在價(jià)帶頂或?qū)У字芯哂屑僐ashba效應(yīng)。由于 AB 型是 2D 最薄的 Rashba 結(jié)構(gòu)，我們進(jìn)一步研究 AB 單層，發(fā)現(xiàn) 14 個(gè) AB 單層（AlBi、SiPb、TlP、GaSb、InSb、BBi、AlSb、GeSn、SiSn、GaAs、InAs、AlAs、InP 和 TlF ) 具有可克服的能量勢(shì)壘，這是有前途的鐵電 Rashba 半導(dǎo)體。特別是，二維 AlBi 單層具有最大的 Rashba 常數(shù) (2.738 eV·Å) 和相對(duì)較小的鐵電勢(shì)壘 (0.233 eV）。對(duì)于 2D 鐵電 Rashba 半導(dǎo)體，可以通過(guò)非易失性電控制切換鐵電極化來(lái)反轉(zhuǎn)自旋分布。因此，這個(gè)逆向設(shè)計(jì)的成果可以運(yùn)用到自旋電子和邏輯器件上，例如自旋場(chǎng)效應(yīng)管和雙極存儲(chǔ)器件。

Rashba常數(shù)計(jì)算和自旋分布可視化腳本已經(jīng)集成到KSSOLV軟件中（Comput. Phys. Commun.2022, 279, 108424）。楊金龍教授課題組關(guān)于Rashba效應(yīng)的相關(guān)工作：Nano Lett.2020, 21, 740−746; J. Phys. Chem. Lett.2021, 12, 12256−12268; J. Phys. Chem. Lett.2021, 12, 1932−1939; RSC Adv.2020, 10, 6388−6394。

中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)楊金龍教授和胡偉研究員為共同通訊作者，化學(xué)院學(xué)生陳佳佳為第一作者。研究工作得到了基金委、科技部和中科院等項(xiàng)目的資助。

文章鏈接：https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/jacs.2c08827

來(lái)源：中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)