2022年11月10日，由東南大學牽頭起草的《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術報告形成委員會草案，本文件主要起草單位有：東南大學、浙江大學、南方科技大學、西安電子科技大學、大連理工大學、英諾賽科（珠海）科技有限公司、西交利物浦大學、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、無錫芯朋微電子股份有限公司、江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司、北京第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。

作為第三代半導體器件的重要代表，氮化鎵（GaN）功率器件憑借優(yōu)異的材料性能，在高頻、高效、高功率密度的電力電子變換領域（如數(shù)據(jù)中心、新能源汽車、分布式支電、各類消費電子等）具有十分廣闊的應用前景和市場機遇。然而，受器件表面陷阱及緩沖層陷阱的影響，目前主流的GaN器件仍然面臨著高壓開關過程中的動態(tài)電阻退化問題，這為基于GaN器件的電力電子變換器設計和損耗估算帶來了不確定性。

本報告梳理了GaN HEMT動態(tài)電阻上升的產(chǎn)生機理，分析了相關影響因素；匯總了動態(tài)電阻測試電路；希望通過本報告的編寫，器件制造商和器件應用工程師可對動態(tài)電阻的機理及測試有更加深入的了解，并能在此基礎上結合產(chǎn)業(yè)應用進展進一步討論，發(fā)掘出更多更詳盡、完善的技術解決方案，形成更多的產(chǎn)業(yè)共識，從而幫助正確評估動態(tài)電阻引起的系統(tǒng)性能和可靠性問題。

T/CASAS/TR 003—202X《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》包含以下內容：a造成動態(tài)電阻的機理解釋匯總；b造成動態(tài)電阻的影響因素匯總；c動態(tài)電阻測試電路匯總。通過本報告，器件制造商和器件應用工程師可對動態(tài)電阻的機理及測試有更加深入的了解，從而幫助其解決動態(tài)電阻引起的系統(tǒng)可靠性問題。

（來源：第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術戰(zhàn)略聯(lián)盟）