半導體產業網獲悉：11月15日，在第三屆亞太碳化硅及相關材料國際會議暨首屆第三代半導體徐州金龍湖峰會上，天科合達現場發布8英寸導電碳化硅襯底晶片。

8英寸導電碳化硅襯底晶片由北京天科合達半導體股份有限公司生產，主要應用新能源汽車、光伏等領域。該公司副總經理、技術總監劉春俊介紹，在碳化硅器件各環節中，襯底占成本的近50%。襯底尺寸越大，單位襯底可制造的芯片數量越多，單位芯片成本越低，8英寸襯底晶片產品比6英寸產品可多切近90%的芯片，邊緣浪費降低7%。

天科合達8英寸新產品發布會得到了第三代半導體行業的廣泛關注。作為碳化硅襯底國內的龍頭企業，天科合達不斷突破大尺寸、高質量碳化硅的關鍵制備技術，引領了國內碳化硅襯底的產業化。天科合達副總經理、技術總監劉春俊在會議上公布了8英寸產品的關鍵實測數據。根據劉春俊博士的報告，天科合達8英寸導電型碳化硅產品的多項指標均處于行業內領先水平，已經達到了量產標準。并且，透露了將8英寸的小規模量產定在2023年。

天科合達這次發布的產品主要指標如下：

1）碳化硅晶錠直徑達到209毫米；

2）拉曼光譜測試數據表明，8英寸碳化硅晶片100%面積為4H晶型；

3）XRD三點搖擺曲線數據表明，半高寬小于20arcsec；

4）8英寸產品微管密度＜0.1/cm2，僅在晶片邊緣存在極少量微管缺陷；

5）8英寸位錯密度 EPD＜4000/cm2,TSD能達到100/cm2以下，BPD能達到200/cm2以下，位錯密度整體處于國際領先水平。

徐州經開區堅持把半導體產業作為重點發展的戰略性新興產業之一，近年來實現此前國內空白的鑫華電子級多晶硅、鑫晶12英寸大硅片通線量產，中科智芯晶圓級先進封裝、晶凱存儲芯片封裝模組等一批重大項目成功落地。今年前10個月，該產業實現產值87億元、同比增長52%。徐州市委常委、經開區黨工委書記張克表示，經開區將加快推進天科合達二期年產16萬片碳化硅襯底晶片以及三期100萬片外延片、華盛盈科碳化硅封測及模組等項目，支持中科漢韻碳化硅功率器件達產達效，全力構建襯底、外延片、器件、封測等較為完備的第三代半導體產業鏈。