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T/CASAS/TR 002—202X《SiC MOSFET功率器件的應用可靠性評價技術體系報告》包含以下內容：a、SiC MOSFET功率器件發展趨勢；b、SiC MOSFET芯片與封裝中面臨的可靠性問題包括襯底/外延、芯片工藝、封裝工藝可靠性問題；c、SiC MOSFET開關狀態可靠性問題包括動態柵極偏置、短路應力、雪崩、浪涌、輻照等可靠性問題；d、SiC MOSFET應用端可靠性問題；e、車規級功率器件可靠性及壽命；f、可靠性失效仿真；g、SiC MOSFET可靠性評價體系建立的工作建議等7個方面。

經過10余年的發展，SiC 功率器件逐步成熟，為進入大眾市場打開了大門。SiC MOSFET功率器件的高頻、高壓、耐高溫、開關速度快、損耗低等特性，使電力電子系統的效率和功率密度朝著更高的方向前進。希望以此報告的編寫，銜接SiC MOSFET產業鏈上中下游，助力產業對該器件可靠性的統一認識，凝聚力量，助力SiC MOSFET電力電子應用的規模開啟。

本文件主要起草單位：

復旦大學、東南大學、浙江大學、 中國電子科技集團公司第十三研究所、重慶大學、北京智慧能源研究院、北京工業大學、合肥工業大學、中國科學院微電子研究所、深圳市禾望電氣股份有限公司、泰克科技(中國)有限公司、北京第三代半導體產業技術創新戰略聯盟

復旦大學寬禁帶半導體研究團隊聚焦寬禁帶半導體材料生長、功率器件物理與設計、先進制造工藝及產業化、功率模塊及可靠性測試、電力電子技術五大研究方向。現有成員17人，其中特聘教授3人，研究員/副研究員14人。2020年團隊聯合華大半導體共建成立上海碳化硅功率器件工程技術研究中心。在中心主任張清純教授帶領下通過與半導體器件生產和電力電子應用企業緊密合作，致力于研發基于寬禁帶半導體，特別是SiC材料為核心的新型功率器件、工藝和模塊，加速下一代碳化硅基功率電子的廣泛應用。團隊現有復旦大學寬禁帶半導體技術實驗室、光華臨港寬禁帶功率器件及應用創新平臺、以及復旦大學寧波研究院寬禁帶半導體材料與器件研究所等研發平臺。