近期，北京天科合達半導體股份有限公司（以下簡稱“天科合達”）完成Pre-IPO輪融資，投資方包括京銘資本體系京銘鴻瑞產業基金、歷金銘科產業基金以及青島匯鑄英才產業基金等。

天科合達成立于2006年，是一家從事第三代半導體碳化硅（SiC）晶片研發、生產和銷售的國家級高新技術企業。目前擁有北京總部基地、北京研發中心和三家全資子公司，一家控股子公司，產業涵蓋碳化硅單晶爐制造、碳化硅單晶生長原料制備、碳化硅單晶襯底制備和碳化硅外延制備。

京銘資本消息顯示，天科合達從2020年開始開展8英寸導電型SiC單晶襯底的研發工作，經過2年多技術攻關，突破了8英寸晶體擴徑生長和晶片加工等關鍵技術難題，成功制備出高品質8英寸導電型SiC單晶襯底。

據介紹，天科合達目前產能正在不斷突破，北京二期和徐州二期也在進一步規劃中，預計2025年底，6英寸有效年產能達到55萬片，6到8英寸，可根據實際需求進行快速產能切換。