近期，天域半導體、天科合達半導體兩家碳化硅企業均獲得新一輪融資。

》》天域半導體獲約12億元融資

廣東天域半導體股份有限公司（以下簡稱“天域半導體”）獲約12億人民幣融資，投資方包括中國比利時基金、廣東粵科投、南昌產業投資集團、嘉元科技、招商資本、乾創資本等。

本輪融資資金將繼續用于增加碳化硅外延產線的擴產以及持續加大碳化硅大尺寸外延生長研發投入。

天域半導體成立于2009年，是一家碳化硅（SiC）外延片企業，乾創資本消息顯示，該公司是國內最早實現6英寸外延晶片量產，20 kV級以上的厚外延生長實現，緩變結、陡變結等n/p型界面控制技術，多層連續外延生長技術的企業。

據悉，天域半導體已提前布局國內8英寸SiC外延晶片工藝線的建設，正積極突破研發8英寸SiC工藝關鍵技術。

》》天科合達完成Pre-IPO輪融資

近期，北京天科合達半導體股份有限公司（以下簡稱“天科合達”）完成Pre-IPO輪融資，投資方包括京銘資本體系京銘鴻瑞產業基金、歷金銘科產業基金以及青島匯鑄英才產業基金等。

天科合達成立于2006年，是一家從事第三代半導體碳化硅（SiC）晶片研發、生產和銷售的國家級高新技術企業。目前擁有北京總部基地、北京研發中心和三家全資子公司，一家控股子公司，產業涵蓋碳化硅單晶爐制造、碳化硅單晶生長原料制備、碳化硅單晶襯底制備和碳化硅外延制備。

京銘資本消息顯示，天科合達從2020年開始開展8英寸導電型SiC單晶襯底的研發工作，經過2年多技術攻關，突破了8英寸晶體擴徑生長和晶片加工等關鍵技術難題，成功制備出高品質8英寸導電型SiC單晶襯底。

據介紹，天科合達目前產能正在不斷突破，北京二期和徐州二期也在進一步規劃中，預計2025年底，6英寸有效年產能達到55萬片，6到8英寸，可根據實際需求進行快速產能切換。

近期，北京天科合達半導體股份有限公司（以下簡稱“天科合達”）完成Pre-IPO輪融資，投資方包括京銘資本體系京銘鴻瑞產業基金、歷金銘科產業基金以及青島匯鑄英才產業基金等。

天科合達成立于2006年，是一家從事第三代半導體碳化硅（SiC）晶片研發、生產和銷售的國家級高新技術企業。目前擁有北京總部基地、北京研發中心和三家全資子公司，一家控股子公司，產業涵蓋碳化硅單晶爐制造、碳化硅單晶生長原料制備、碳化硅單晶襯底制備和碳化硅外延制備。

京銘資本消息顯示，天科合達從2020年開始開展8英寸導電型SiC單晶襯底的研發工作，經過2年多技術攻關，突破了8英寸晶體擴徑生長和晶片加工等關鍵技術難題，成功制備出高品質8英寸導電型SiC單晶襯底。

據介紹，天科合達目前產能正在不斷突破，北京二期和徐州二期也在進一步規劃中，預計2025年底，6英寸有效年產能達到55萬片，6到8英寸，可根據實際需求進行快速產能切換。