智能駕駛時代下第三代半導體材料的技術進步給電動車電驅電控系統和電源系統帶來的新的技術進展。汽車電動化、網聯化、智能化發展趨勢中，電動化最受益的是功率器件，尤其是IGBT。智能化的快速發展，自動駕駛、智能座艙等對汽車感知器件、運算能力、數據量需求日益提升，汽車控制芯片、存儲芯片等成長空間廣闊。

英諾賽科作為全球領先的GaN IDM高新技術企業，擁有世界上最大的8英寸硅基氮化鎵生產基地和先進的研發與制造能力，致力于用硅基氮化鎵打造綠色高效新世界。自2015年成立至今，英諾賽科已獲專利700多項，為客戶提供從30V 到700V的高、低壓全功率段氮化鎵芯片及全氮化鎵整體解決方案。8英寸氮化鎵全自動生產線與全流程質量管控體系，為芯片性能和大批量交付需求提供了有力保障。截至去年8月，英諾賽科已累計出貨超1億顆氮化鎵芯片，并在消費類電子、數據中心、自動駕駛、新能源等領域與上下游企業緊密合作，逐步構建起氮化鎵“芯”生態。

隨著第三代半導體技術的持續進步，高效、低能耗、高功率密度的氮化鎵功率器件推動系統向高功率密度的發展，逐漸成為綠色經濟發展的驅動力，尤其是新能源汽車領域。據預測，到2025年電動汽車中氮化鎵芯片市場機會每年總值將超過25億美元。目前，英諾賽科已通過了IATF16949認證。

近期，在第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS）召開的“第二屆車用半導體創新合作峰會”上。英諾賽科產品應用主任工程師孟無忌做了題為“GaN在新能源汽車的探索與實踐”的主題報告，介紹了相關的實踐成果與方案。

GaN功率器件在智能汽車中的應用涉及雙向DC/DC、自動駕駛核心電源、PD快充、車載充電器(OBC)、激光雷達、LED驅動、音響Class-D功放、能量管理系統（BMS）、電機驅動等環節。

報告介紹了介紹了英諾賽科GaN在高性能自動駕駛激光雷達、音響Class-D功放等領域的應用，氮化鎵Class-D功放仿真和樣機，以及英諾賽科支撐高功率密度/高效率核心供電方案、All-GaN 車載快充和無線充解決方案、All-GaN 48V/12V雙向DC/DC方案、All-GaN車載充電機(OBC)解決方案、All-GaN雙向APM解決方案等實踐進展。

其中，InnoGaN支撐高功率密度/高效率核心供電方案方面，相同功率密度下GaN可實現更高效率，相同效率下GaN可實現更高的功率密度。InnoGaN在音響Class-D功放中具有顯著優勢，比如高開關頻率、超低寄生電容、零反向恢復等。All-GaN車載充電機(OBC)解決方案中，具有能量雙向流動、效率高于Si /SiC MOSFET方案、成本低于SiC MOSFET方案等優勢。All-GaN雙向APM解決方案中具有高開關頻率、DC/DC級高功率密度、低壓側低驅動損耗等優勢。

嘉賓簡介

孟無忌，英諾賽科產品應用主任工程師。自就讀博士起致力于研究氮化鎵晶體管高速和高頻應用，發表SCI期刊論文3篇，國際學術會議論文8篇。目前在英諾賽科產品應用部負責氮化鎵功率器件產品應用開發，構建InnoGaN產品與解決方案在數據中心、人工智能、新能源等戰略新興領域的競爭力。