3月6日，博康(嘉興)半導體氮化鎵射頻功率芯片先導線項目開工儀式在浙江嘉興經開區舉行。嘉興經濟技術開發區官方消息顯示，該項目總投資額約6億元，占地面積46667平方米，其中一期用地約33200平方米。該項目瞄準第三代半導體新材料領域，集產品研發、生產、銷售等功能為一體。

此次落戶的博康半導體產品將覆蓋電信基礎設施、射頻能源及各類通用市場的應用，為5G移動通訊基站、寬頻帶通信等射頻領域提供半導體產品及解決方案。

（來源：集微網）