由中興通訊股份有限公司、中國電子科技集團(tuán)第十三研究所、中國電子科技集團(tuán)第五十五研究所、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、廈門市三安集成電路電路有限公司、蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司、河北北芯半導(dǎo)體科技有限公司、西安電子科技大學(xué)等10余家單位聯(lián)合制定的T/CASAS 028—202X《Sub-6 GHz GaN射頻產(chǎn)品可靠性篩選和驗(yàn)收方法》等5項(xiàng)射頻系列標(biāo)準(zhǔn)已完成征求意見稿的編制。根據(jù)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化工作管理辦法，2023年3月14日起開始征求意見，截止日期2023年4月13日。

T/CASAS 027—202X《射頻GaN HEMT外延片二維電子氣遷移率非接觸霍爾測量方法》規(guī)定了射頻GaN HEMT外延片的二維電子氣遷移率非接觸Hall測量方法的測試原理、干擾因素、測試程序和試驗(yàn)報(bào)告。

T/CASAS 028—202X《Sub-6GHz GaN 射頻產(chǎn)品可靠性篩選和驗(yàn)收方法》規(guī)定了Sub-6GHz GaN射頻產(chǎn)品的可靠性篩選和驗(yàn)收方法和詳細(xì)要求，對提升產(chǎn)品質(zhì)量、系統(tǒng)可靠性及穩(wěn)定性具有重要意義。

T/CASAS 029—202X《Sub-6GHz GaN 射頻器件微波特性測試方法》規(guī)定了Sub-6 GHz GaN 射頻器件微波特性的詳細(xì)測試方法。本文件適用于共源組成方式的GaN 射頻器件，其它組成方式僅供參考。

T/CASAS 030—202X《GaN毫米波前端芯片測試方法》規(guī)定了GaN毫米波前端芯片的術(shù)語、定義、測試條件、測試要求和測試方法。

T/CASAS 031—202X《面向5G基站應(yīng)用的Sub-6GHz氮化鎵功放模塊測試方法》規(guī)定了氮化鎵功放模塊的術(shù)語、定義、測試條件、測試要求和測試方法。