近日，中國電科55所與一汽聯合推動碳化硅功率器件及模組科技創新，研發的首款750V碳化硅功率芯片完成樣品流片，首款全國產1200V塑封2in1碳化硅功率模塊完成A樣件試制。

中國電科消息稱，在750V碳化硅功率芯片項目中，雙方技術團隊從結構設計、工藝技術、材料應用維度開展聯合攻關，推動碳化硅功率芯片技術達到國際先進水平。目前，已進入產品級測試階段。

而在2in1碳化硅功率模塊項目中，雙方技術團隊圍繞新結構、新工藝、新材料開展聯合攻關，實現芯片襯底與外延材料制備、芯片晶圓設計與生產、封裝結構設計、塑封工藝開發與模塊試制等關鍵環節全流程自主創新，為碳化硅功率半導體設計與生產全自主化、全國產化打下基礎。

未來，55所將持續強化產業鏈上下游聯合攻關，推動碳化硅功率器件及模組關鍵核心技術自主創新；今年初，中國電科46所也成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶。當時消息指出，該成果系“國內第一”且“達到國際最高水平”。