新材料是半導體芯片發展的基礎，半導體材料是芯片高速發展的重要驅動力，同時可帶動多學科發展，化合物半導體材料是芯片發展的重要推動力。

4月20日，首屆中國光谷九峰山論壇暨化合物半導體產業發展大會在武漢開幕。論壇在湖北省和武漢市政府支持下，由武漢東湖新技術開發區管理委員會、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、九峰山實驗室、光谷集成電路創新平臺聯盟共同主辦。

開幕大會上，中國科學院院士、西安電子科技大學教授郝躍分享了化合物半導體器件進展與挑戰。集成電路工藝和半導體器件不斷發展，后摩爾時代開始關注化合物半導體材料，寬禁帶半導體材料和器件具有寬禁帶半導體芯片具有優越的功率特性。報告分享了硅基新型高遷移率材料與晶體管的重要進展、氮化物半導體器件、氧化鎵超寬禁帶半導體器件等技術的重要進展。涉及70nm柵長氮化鎵超高頻器件、GaN毫米波器件、低開啟電壓毫米波GaN SBD、硅基(低成本)氮化鎵材料與器件、高耐壓一萬伏的氮化鎵電力電子器件、 氧化鎵肖特基器件研究進展、氧化鎵MOS器件等的研究進展。

報告指出，Ga₂O₃可用于高壓、低損耗、大功率電子器件電子，電力損耗理論上大約為硅材料的1/3400、碳化硅的1/10。微系統所和西電采用smart cut轉移了wafer級氧化鎵薄膜于高熱導率襯底，部分解決了氧化鎵襯底低熱導率的問題。目前實現了4英寸氧化鎵材料的轉移。

由于SiC和Si襯底的高熱導率，異質集成Ga₂O₃MOSFET器件展現了遠比體器件更優異的溫度相關特性。未來要發展異質異構集成電路，包括開放、可互操作的芯粒（chiplet）生態系統 ，推動整個電子信息產業的不斷的發展。