2023年5月5-7日，“2023碳化硅關鍵裝備、工藝及其他新型半導體技術發展論壇”在長沙召開。論壇在第三代半導體產業技術創新戰略聯盟的指導下，由極智半導體產業網與中國電子科技集團第四十八研究所等單位聯合組織。論壇圍繞“碳化硅襯底、外延及器件相關裝備產業創新發展”、“關鍵零部件及制造工藝創新突破”、“產業鏈上下游協同創新”、“氮化鎵與氧化鎵等其他新型半導體”，邀請產業鏈上下游的企業及高校科研院所代表深入研討，攜手促進國內碳化硅及其他半導體產業的發展。
期間，在“碳化硅關鍵裝備、工藝及配套材料技術”分論壇上，湖南德智新材料有限公司副總經理、首席技術官余盛杰分享了《半導體設備用SiC零部件開發及應用》的主題報告。
化合物半導體是指以SiC、GaN、GaAs為代表的的寬禁帶半導體材料，主要應用于高壓、高溫、高頻場景。隨著應用場景不斷增加，對于化合物半導體的需求越來越大，化合物半導體發展迅速，因此，其芯片產能及制造能力就顯得極為重要。
同時，SiC零部件是化合物半導體芯片制造過程中必不可少的高頻耗材，也是唯一接觸晶圓片的零部件，并對芯片性能、制造成本及產能具有重要的影響。本報告重點講述化合物半導體設備用SiC零部件性能要求及其對芯片制造的影響，分享德智新材開發的SiC零部件在化合物半導體芯片制造中應用情況，同時展望未來SiC零部件的發展方向。
嘉賓簡介：余盛杰，10年+新材料領域科研、產品開發及管理經驗，師從國內SiC資深博導陳照峰教授，南京航空航天大學材料學博士，湖南德智新材料有限公司創始人之一，現任副總經理，湖南省2020年產業項目建設引進100個科技創新人才，湖南省株洲市“雙創人才”。主要從事CVD SiC薄膜、SiC納米線、C/SiC及SiC/SiC復合材料等領域的研究，發表SCI等論文20余篇，其中SCI收錄16篇，EI論文1篇，在SiC涂層領域具有扎實的研究基礎及豐富的技術開發及產業化經驗。
