納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）宣布推出第五代高速GeneSiC碳化硅(SiC)功率二極管，可有效滿足數據中心、工業電機驅動、太陽能和消費電子等要求嚴格的應用需求。

這款650伏的混合式PIN-肖特基 (MPS™)二極管采用獨特的PiN-Schottky結構，提供低內置電壓偏置（低門檻電壓）以實現在各種負載條件下的最高效率和卓越的魯棒性。應用領域包括服務器/電信電源的PFC電路、工業電機驅動、太陽能逆變器、LCD/LED電視和照明。

部分GeneSiC功率器件應用場景

GeneSiC MPS的獨特設計，結合了PiN和肖特基二極管結構的優點，產生僅有1.3V的最低正向壓降、高浪涌電流（IFSM）和開關損耗隨溫度變化小。專有的薄片技術進一步降低了正向電壓，并很好地提升散熱性能GeneSiC二極管先期提供表面貼裝QFN的封裝。

為確保能在關鍵應用中可靠運行，第五代650 V MPS二極管具有一流的魯棒性和耐久性 ，具備高浪涌電流和雪崩能力，并通過100%雪崩（UIL）生產測試。

從4A到24A的容量，采用表貼封裝（QFN，D2-PAK）和插件（TO-220，TO-247）封裝形式，GExxMPS06x系列MPS二極管覆蓋了從300W到3000W的應用范圍，并適用于多種電路，如太陽能電池板升壓轉換器以及游戲機中的連續電流模式的功率因數校正電路（PFC）。TO-247-3封裝形式是“共陰極”配置，為交錯式PFC拓撲結構的高功率密度和材料降本提供了很大的靈活性。

（來源：納微芯球)）