納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）宣布推出第五代高速GeneSiC碳化硅(SiC)功率二極管，可有效滿足數(shù)據(jù)中心、工業(yè)電機驅(qū)動、太陽能和消費電子等要求嚴格的應用需求。

這款650伏的混合式PIN-肖特基 (MPS™)二極管采用獨特的PiN-Schottky結構，提供低內(nèi)置電壓偏置（低門檻電壓）以實現(xiàn)在各種負載條件下的最高效率和卓越的魯棒性。應用領域包括服務器/電信電源的PFC電路、工業(yè)電機驅(qū)動、太陽能逆變器、LCD/LED電視和照明。

部分GeneSiC功率器件應用場景

GeneSiC MPS的獨特設計，結合了PiN和肖特基二極管結構的優(yōu)點，產(chǎn)生僅有1.3V的最低正向壓降、高浪涌電流（IFSM）和開關損耗隨溫度變化小。專有的薄片技術進一步降低了正向電壓，并很好地提升散熱性能GeneSiC二極管先期提供表面貼裝QFN的封裝。

為確保能在關鍵應用中可靠運行，第五代650 V MPS二極管具有一流的魯棒性和耐久性 ，具備高浪涌電流和雪崩能力，并通過100%雪崩（UIL）生產(chǎn)測試。

從4A到24A的容量，采用表貼封裝（QFN，D2-PAK）和插件（TO-220，TO-247）封裝形式，GExxMPS06x系列MPS二極管覆蓋了從300W到3000W的應用范圍，并適用于多種電路，如太陽能電池板升壓轉換器以及游戲機中的連續(xù)電流模式的功率因數(shù)校正電路（PFC）。TO-247-3封裝形式是“共陰極”配置，為交錯式PFC拓撲結構的高功率密度和材料降本提供了很大的靈活性。

（來源：納微芯球)）