據(jù)外媒報道，日本半導體巨頭瑞薩電子日前宣布，將于2025年開始生產(chǎn)使用碳化硅(SiC)來降低損耗的下一代功率半導體產(chǎn)品。計劃在目前生產(chǎn)硅基功率半導體的群馬縣高崎工廠進行量產(chǎn)，但具體投資金額和生產(chǎn)規(guī)模尚未確定。報道稱，碳化硅比傳統(tǒng)的硅具有更好的耐熱性和耐壓性。使用SiC的功率半導體極少功率損耗，如果用于電動汽車，可以延長續(xù)航里程。除電動汽車外，蓄電池等可再生能源領域的應用也有望擴大。

意法半導體、英飛凌、三菱電機等企業(yè)都在布局碳化硅半導體，瑞薩電子起步較晚，但CEO柴田英利在新聞發(fā)布會上表示，“傳統(tǒng)的功率半導體上我們是后來者，但現(xiàn)在因高效率而備受推崇，SiC也可以做到。”根據(jù)瑞薩電子采取的戰(zhàn)略，其將用于處理系統(tǒng)的尖端邏輯半導體的生產(chǎn)外包給代工廠，這些系統(tǒng)的開發(fā)和投資成本很高。功率半導體是內(nèi)部生產(chǎn)的，2014年關閉的甲府工廠也將于2024年上半年重新開始運營，開始生產(chǎn)使用硅的功率半導體。

（來源：集微）