半導體產業網獲悉：近日，中圖半導體增資項目、道銘微集成電路及功率器件新項目、芯能半導體大功率模塊封裝測試項目和通科半導體封測項目迎來新進展。

中圖半導體增資項目用地成功摘牌，總投資10億元

5月29日，中圖半導體增資項目用地成功摘牌。據了解，該項目由廣東中圖半導體科技股份有限公司投資建設，位于松山湖，總投資10億元，用地面積約60畝，主要建設新一代LED芯片的大尺寸圖形化藍寶石襯底、圖形化復合材料襯底及其他關鍵材料的生產線，建設國內第一條8英寸圖形化襯底線，建成一個先進LED用新型襯底技術及關鍵材料制造基地，項目涵蓋先進LED材料技術、器件驗證、新材料檢測等技術研究。

廣東中圖半導體科技股份有限公司于2013年12月在松山湖成立，是一家面向藍寶石上氮化鎵（GaN on Sapphire）半導體技術的專業襯底材料制造商，主要從事圖形化藍寶石襯底的研發、生產和銷售業務。根據不同的LED芯片應用領域及其外延技術特征進行適配的襯底材料開發，通過圖形化結構設計、不同材料組合應用、工藝制程實現等，為GaN LED芯片提供襯底材料綜合解決方案。

道銘微集成電路及功率器件新項目開工，總投資額不小于25億元

5月28日，杭州道銘微電子有限公司（以下簡稱“道銘微”）集成電路及功率器件系統集成封裝新建一期廠房開工儀式在杭州綜合保稅區內舉行。

錢塘發布消息顯示，道銘微成立于2021年5月10日，坐落于杭州綜合保稅區內，目前注冊資金3億元，主要生產光伏功率器件系統模塊、車規功率系統模塊、射頻系統模塊、光電系統模塊和晶圓級封裝產品，廣泛應用于分布式光伏發電系統、汽車電子、消費電子、物聯網系統等領域。當前，該公司在綜保區內天裕光能園區擁有約1.6萬平方米廠房，規劃年產7億顆功率半導體模塊和射頻系統集成模塊，于2021年12月正式投入生產，2023年達到設計產能。

新廠房總用地面積10萬平方米。投資計劃分兩期實施，整體項目總投資額不小于25億元，預計達產后年產出可達30-50億元。其中，一期用地約6.87萬平方米，先期投資9.5億元，后續將根據市場情況滾動追加投資，一期項目預計2024年一季度完成主體廠房建設，三季度投入使用；二期規劃用地約3.13萬平方米，將投資用于實施晶圓級先進封裝項目。

芯能半導體大功率模塊封裝測試項目落戶安巢經開區！

5月29日，深圳芯能半導體與安巢經開區在合肥簽署項目合作協議。

安巢發布消息顯示，芯能半導體功率器件封測項目采用先進工藝，專注于大功率模塊封測，主要建設10條IGBT、5條SIC MOS自動化生產線，產品應用于新能源汽車、太陽能和家電等行業，項目整體建成達產后，預計可實現年產480萬只IGBT模塊和60萬只SIC MOS模塊，年營收約15億元。

據悉，深圳芯能半導體技術有限公司是一家聚焦IGBT芯片、高壓柵極驅動芯片以及智能功率模塊的研發、生產、應用和銷售的國家高新技術企業和國家“專精特新”小巨人企業，在深圳、上海、青島、順德、杭州等地建立了銷售辦事處，先后獲得了深圳高新投、美的、小米、國電投、達晨創投等股權投資。公司掌握國內領先核心技術，專注功率半導體相關產品的研發設計，截至2023年3月底，集成電路布圖47個，已實際授權發明專利84篇，產品主要應用于工業伺服電機驅動、變頻家電、逆變器、電力系統、新能源汽車等。

通科半導體封測項目再取新進展，建設年產37500百萬件功率半導體器件生產線

近日，廣東省能源局關于佛山市通科先進半導體芯片封裝測試產業基地建設項目節能報告的審查意見。佛山市通科先進半導體芯片封裝測試產業基地建設項目采用的主要技術標準和建設方案符合國家相關節能法規及節能政策的要求，原則同意該項目節能報告。

公告內容顯示，該項目主要建設內容包括：建設年產37500百萬件功率半導體器件生產線，主要建構筑物包括千級凈化車間、萬級凈化車間、集成電路實驗室、工程中心、國家級CNAS中心、研發中心大樓、宿舍樓等，主要設備包括固晶機、測試分選機、焊線機、磨片機、劃片機、模壓機、烘烤機、空壓機、冷水機組等。

3月23日，佛山市云東海街道舉行重點項目簽約暨動竣工儀式。其中，總投資達10億元的通科半導體芯片封裝測試產業項目動工，主要從事半導體分立器件研發及制造，生產全系列功率器件與集成電路。

廣東省發展改革委公布的廣東省2023年重點建設項目中，佛山市通科先進半導體芯片封裝測試產業基地建設項目上榜。

東莞市通科電子有限公司成立于2010年，是一家專業從事半導體分立器件、芯片測試與集成電路研發設計、制造的國家級高新技術企業，其產品廣泛用于智能穿戴、5G產品、汽車電子、無人機、AI、物聯網、通訊、照明、電源、家電、智能家居、計算機、智能儀表等各領域。