以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導體禁帶寬度、化學穩定性、擊穿場強等優勢，是國際半導體領域的研究熱點。其中，氧化鎵（Ga2O3）具有超寬禁帶、超高臨界擊穿場強、抗輻照和低成本等優勢，被譽為下一代電力電子器件最有利的競爭者，在高壓、大功率、高效節能等方面有非常大的應用潛力。

近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業網（www.ofran.cn）、第三代半導體產業主辦，西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟人才發展委員會、全國半導體應用產教融合（東莞）職業教育集團聯合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協辦。

期間，“平行論壇1：功率半導體器件設計及集成應用”上，中國電子科技集團公司第十三研究所重點實驗室高級工程師敦少博帶來了題為“高耐壓氧化鎵功率器件研制進展與思考”的主題報告。

報告中指出，超寬禁帶氧化鎵臨界擊穿場強是Si的30倍，SiC的3倍，更適合制備高壓功率器件。相同耐壓，外延層厚度，氧化鎵功率器件電阻更低。氧化鎵單晶襯底可通過導模法實現，具有低成本優勢。超寬禁帶氧化鎵功率器件兼備高耐壓、低電阻和低成本三重優勢。

并且，氧化鎵已成為下一代戰略半導體材料。國際功率半導體發展技術路線指明：超寬禁帶半導體材料是新一代功率電子器件發展的優選材料。氧化鎵作為超寬禁帶半導體的典型代表，有望率先實現工程化應用。隨著全球加快投入，氧化鎵成為功率器件領域戰略高地之一，進入快速發展期。

當前氧化鎵功率器件面臨主要科學問題，氧化鎵受主雜質激活能大無法實現有效p型導致終端設計難。并介紹，日本信息通信研究機構（NICT）、康 奈 爾 大 學 、西安電子科技大學、南京大學、中國科技大學在氧化鎵二極管方面的研究進展。并表示，氧化鎵二極管整體進展較快，部分結果超越SiC極限。以及德國柏林萊布尼茲研究所（FBH）、布法羅大學、西安電子科技大學、康奈爾大學在氧化鎵MOSFET研究進展。并分享了中國電科產業基礎研究院在Ga2O3 SBD功率器件和Ga2O3 MOSFET功率器件方面的最新研究成果。

報告中指出，P型摻雜技術缺失依然是氧化鎵功率器件發展面臨的重大瓶頸問題，開發新型終端結構、尋求替代方案是目前國際研究熱點之一。氧化鎵二極管相對更成熟一些，小尺寸二極管進展迅速，部分性能已超越SiC材料理論極限，在高壓、低導通特性顯現出一定的性能優勢。我們初步開展了大功率二極管應用驗證，但是其性能與小尺寸器件相差甚遠，與SiC相比性。能優勢并不突出，亟需材料、器件與應用端協同攻關。

CASICON 系列活動簡介

 “先進半導體產業大會（CASICON）” 由【極智半導體產業網】主辦，每年在全國巡回舉辦的行業綜合活動。活動聚焦先進半導體產業發展熱點，聚合產業相關各方訴求，通過“主題會議+項目路演+展覽”的形式，促進參與各方交流合作，積極推動產業發展。CASICON 系列活動將以助力第三代半導體產業為己任，聯合實力資源，持續輸出高質量的活動內容，搭建更好的交流平臺，為產業發展貢獻應盡的力量。

（備注：以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考！）