近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”將于西安召開。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業網（www.ofran.cn）、第三代半導體產業主辦，西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟人才發展委員會、全國半導體應用產教融合（東莞）職業教育集團聯合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協辦。

期間，“平行論壇1：功率半導體器件設計及集成應用”上，萊特葳芯半導體（無錫）有限公司CEO劉天奇將帶來《智能化高頻高壓氮化鎵驅動技術研究進展》的主題報告，分享最新技術研究成果。

氮化鎵功率晶體管具備較低的輸入/輸出電容與導通電阻，大大降低了開關損耗，在高頻、高壓、高功率密度應用領域極具優勢。在應用上，氮化鎵高的開關速度不可避免的引入了強EMI干擾，對器件的穩定工作和長期可靠性提出了較大挑戰。在幾十到數百伏高電壓大電流應用場景，高的dV/dt與di/dt將引起驅動芯片和功率晶體管的可靠性降低或控制失效。由于氮化鎵功率晶體管的閾值電壓相對較低，開關過程中的大幅度ringing極易引起功率管的誤開啟，產生額外的損耗甚至發生穿通。在半橋應用中，浮動節點的負壓將引起自舉電容的電壓過沖，大大增加了氮化鎵的柵極應力，影響器件的可靠性。

報告指出，近年來，針對氮化鎵的應用，學術界與工業界相繼提出了智能化的全集成自適應柵極驅動控制技術，不僅能夠實現對dV/dt的定量調制，而且提出了針對驅動能力溫度補償、主動自舉控制、死區時間自適應調制等大量創新技術，為高效率氮化鎵的驅動技術指明了方向。隨著數據中心、光伏逆變、車載電源、移動負載等對高能效電力變換需求的日益增長，智能化的氮化鎵柵極驅動技術將推動氮化鎵功率晶體管在高功率密度應用領域快速發展。

公開信息顯示，萊特葳芯半導體（無錫）有限公司2022年成立，專注高壓非隔離與隔離驅動芯片（HVIC）、Low-Side與High-Side驅動芯片、智能功率模塊（IPM）、智能功率集成電路（SPIC）、直流無刷電機控制、電源與逆變器等技術產品的研發。此外，該公司可為不同類型功率晶體管匹配最佳驅動方案和控制方案，可打造高集成度、高可靠性、高能效、高感知能力的智能化驅動芯片，推動相關技術在新能源、汽車、家電、機器人、工業自動化等多領域的應用落地。2023年6月公司完成數千萬天使輪融資，由無錫芯和投資、無錫市創投、無錫新投集團等聯合投資。本輪融資資金主要用于高壓柵極驅動芯片設計和研發，包括高壓隔離、非隔離驅動技術，以及氮化鎵、碳化硅等第三代功率半導體驅動技術。

CASICON 系列活動簡介

 “先進半導體產業大會（CASICON）” 由【極智半導體產業網】主辦，每年在全國巡回舉辦的行業綜合活動。活動聚焦先進半導體產業發展熱點，聚合產業相關各方訴求，通過“主題會議+項目路演+展覽”的形式，促進參與各方交流合作，積極推動產業發展。CASICON 系列活動將以助力第三代半導體產業為己任，聯合實力資源，持續輸出高質量的活動內容，搭建更好的交流平臺，為產業發展貢獻應盡的力量。

（備注：以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考！）