近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.ofran.cn）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技大學(xué)、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會、全國半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)教融合（東莞）職業(yè)教育集團(tuán)聯(lián)合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協(xié)辦。

期間，“平行論壇1：功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用”上，西安電子科技大學(xué) 微電子學(xué)院副教授孫汝軍帶來了”氧化鎵的電子態(tài)缺陷研究”的主題報(bào)告，寬帶隙和超寬帶隙半導(dǎo)體的二極管和晶體管可以在關(guān)斷狀態(tài)下在小距離上保持大電壓，而能摻雜材料的能力降低了導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻率。具有4.8 eV帶隙的單斜晶系β-Ga2O3能制備出大尺寸單晶形式，是高壓電力電子器件有前途的候選者。報(bào)告指出實(shí)現(xiàn) β-Ga2O3應(yīng)用的關(guān)鍵是了解和控制點(diǎn)缺陷和摻雜，并分享了雜質(zhì)缺陷對載流子的影響以及界面處缺陷的研究發(fā)現(xiàn)和成果。其中研究發(fā)現(xiàn)晶體各向異性、共振能級轉(zhuǎn)移和聲子輔助隧穿改變了這些載流子與缺陷相互作用。

報(bào)告揭示了Cr,Fe通過共振能量轉(zhuǎn)移增強(qiáng)紅色發(fā)光峰的機(jī)制。闡明了場強(qiáng)協(xié)助隧穿使名義電子陷阱勢壘變低的原理，發(fā)現(xiàn)了氧氣氛退火增加鎵空位濃度且在面內(nèi)和深度具有各向異性的規(guī)律。揭示了遠(yuǎn)端等離子體暴露引入易移動(dòng)帶電缺陷的規(guī)律，闡明了二極管開態(tài)時(shí)自熱效應(yīng)使Ni電極擴(kuò)散、氧化的失效機(jī)理。

CASICON 系列活動(dòng)簡介

 “先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會（CASICON）” 由【極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)】主辦，每年在全國巡回舉辦的行業(yè)綜合活動(dòng)。活動(dòng)聚焦先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展熱點(diǎn)，聚合產(chǎn)業(yè)相關(guān)各方訴求，通過“主題會議+項(xiàng)目路演+展覽”的形式，促進(jìn)參與各方交流合作，積極推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。CASICON 系列活動(dòng)將以助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為己任，聯(lián)合實(shí)力資源，持續(xù)輸出高質(zhì)量的活動(dòng)內(nèi)容，搭建更好的交流平臺，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)應(yīng)盡的力量。

（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場整理未經(jīng)嘉賓本人確認(rèn)，僅供參考！）