近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業網（www.ofran.cn）、第三代半導體產業主辦，西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟人才發展委員會、全國半導體應用產教融合（東莞）職業教育集團聯合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協辦。

期間，“平行論壇1：功率半導體器件設計及集成應用”上，中國電子科技集團公司第五十五研究所副主任設計師黃潤華 帶來“SiC MOSFET器件技術現狀及產品開發進展”的主題報告，分享了SiC MOSFET器件技術現狀及產品開發進展，報告中介紹了SiC器件的應用狀況，器件技術的發展和未來技術發展的趨勢，并分享了55所在車用器件領域的進展。

隨著SiC MOSFET器件技術的進步，已在高功率、高頻率和高溫等領域得到廣泛應用。有數據顯示，2021年全球功率市場204億美元，硅MOSFET和IGBT占比約60%，2027年增長至305億美元。SiC功率半導體市場約為10.9億美元，預計2027年將達到63億美元，市場滲透率約從5%增長到20%。其產品在新能源發電、新能源汽車、軌道交通、輸變電系統等領域的應用，將帶來系統功能的提升。

對于SiC功率MOSFET技術，報告指出，650-1700V SiC MOSFET技術快速迭代，單芯片電流可達200A。提升電流密度同時，解決好特有可靠性問題是提高技術成熟度關鍵。SiC MOSFET可靠性問題涉及柵氧介質失效，柵氧介質本征可靠性與硅MOS相當，但較薄柵氧加大失效風險，改進加工工藝、篩除早期失效，可有效解決柵氧介質可靠性問題。高溫柵偏應力引起閾值漂移，導致器件性能退化甚至誤開通失效，新的試驗和表征方法揭示更多柵氧近界面問題，仍需研究熱電綜合應力以及極限工況對閾值穩定性的影響。

對于體二極管導通特性退化，外延和器件結構和工藝改進，體二極管雙極型退化得到有效控制，浪涌等高電流密度工況下高載流子復合率加速層錯缺陷的產生和擴展，可能導致動態電阻增大、阻斷特性退化。

當前，55所車用全SiC功率模塊研制方面，涉及到高溫高功率密度SiC模塊設計及封裝技術，先進封裝技術：納米銀燒結+銅互聯技術，傳統HPD封裝模塊研制，阻斷電壓1200V，輸出電流600A，塑封模塊技術，采用2in1塑封，寄生電感≤6.5nH，輸出電流達550A。6in1模塊正在開發中。

主驅電機控制器應用方面，采用傳統HPD封裝，基于自主芯片，1200V/400A全SiC功率模塊，裝車過百量，完成1.5萬公里路試驗證。采用G2+ 1200V/16mΩ， 750V/11mΩ 芯片，合作研制塑封模塊，一汽完成模塊級測試評估。1200V600A HPD模塊，完成電動摩托30kHZ高頻工況驗證。

CASICON 系列活動簡介

 “先進半導體產業大會（CASICON）”由【極智半導體產業網】主辦，每年在全國巡回舉辦的行業綜合活動。活動聚焦先進半導體產業發展熱點，聚合產業相關各方訴求，通過“主題會議+項目路演+展覽”的形式，促進參與各方交流合作，積極推動產業發展。CASICON 系列活動將以助力第三代半導體產業為己任，聯合實力資源，持續輸出高質量的活動內容，搭建更好的交流平臺，為產業發展貢獻應盡的力量。

（備注：以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考！）