近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.ofran.cn）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技大學(xué)、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會、全國半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)教融合（東莞）職業(yè)教育集團聯(lián)合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協(xié)辦。

期間，“平行論壇2：光電子器件及應(yīng)用”上，西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院教授許晟瑞帶來了“襯底工程對氮化物L(fēng)ED的影響研究”的主題報告，分享了最新研究成果。第三代半導(dǎo)體又稱寬禁帶半導(dǎo)體， 禁帶寬度在 2.2 eV 以上，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率等特點。第三代半導(dǎo)體材料的興起，則是以氮化鎵（GaN）材料 p 型摻雜的突破為起點，成功研制了高亮度藍光發(fā)光二極管和藍光激光器。

GaN是新一代光電器件、高頻、高功率器件的理想材料。目前在快速充電以及5G基站中已經(jīng)被廣泛應(yīng)用。即便已經(jīng)具有目前最高的發(fā)光效率，氮化物短波長和長波長LED的發(fā)光效率依然很低！主要原因之一是缺陷。和無位錯單晶的硅和砷化鎵相比，氮化鎵材料體系深受位錯的困擾。氮化物的發(fā)展歷程是一部和缺陷斗爭的歷史過程。最終實現(xiàn)了和缺陷的“共存”。

圖形襯底技術(shù)以及空氣腔技術(shù)可以極大的改變光路，提高光提取效率。但是電子器件并沒有光提取的需求。同時圖形襯底制備增加了襯底成本和周期。外延過程中需要外延層的厚度很大，至少需要高于圖形高度并修復(fù)平整。適用范圍有限，對于橫向外延速度較慢的AlN等材料，需要非常厚的外延層才能合并。迫切需要一種光電和電子器件通用的、工藝簡單的能提高GaN晶體質(zhì)量的方法。研究采用離子注入誘導(dǎo)GaN成核的方式，使GaN的晶體質(zhì)量顯著提升，進而提升了LED的性能。

CASICON 系列活動簡介

 “先進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會（CASICON）”由【極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)】主辦，每年在全國巡回舉辦的行業(yè)綜合活動?；顒泳劢瓜冗M半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展熱點，聚合產(chǎn)業(yè)相關(guān)各方訴求，通過“主題會議+項目路演+展覽”的形式，促進參與各方交流合作，積極推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展。CASICON 系列活動將以助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為己任，聯(lián)合實力資源，持續(xù)輸出高質(zhì)量的活動內(nèi)容，搭建更好的交流平臺，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻應(yīng)盡的力量。

（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場整理未經(jīng)嘉賓本人確認，僅供參考！）