近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業網（www.ofran.cn）、第三代半導體產業主辦，西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟人才發展委員會、全國半導體應用產教融合（東莞）職業教育集團聯合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協辦。

期間，“平行論壇2：光電子器件及應用”上，南京郵電大學張茂林帶來了“氧化鎵材料生長與陣列探測器研究”的主題報告，其研究主要方向為重點開展寬禁帶半導體氧化鎵(Ga₂O₃)晶體的制備與器件物理方面的研究；優化晶體質量，趕超國際水平，發展相關器件的系統應用。

報告分享了薄膜CVD生長以及陣列探測器與應用的研究進展與成果。詳細介紹了氧化鎵晶體薄膜MOCVD生長/襯底制備，LSPR增強Pt/Ga₂O₃復合薄膜光響應，PECVD生長Ga₂O₃薄膜，Mist-CVD 生長α相Ga₂O₃薄膜，Ga₂O₃基日盲紫外探測陣列器件（4×4），16單元Ga₂O₃矩形陣列，晶圓Ga₂O₃陣列探測器的紫外成像，晶圓Ga₂O₃陣列探測器的紫外通訊，自供電Ga₂O₃基肖特基光電二極管陣列等研究內容。

研究基于現有設備技術改進PECVD、Mist-CVD生長Ga₂O₃薄膜；利用LSPR增強Pt/Ga₂O₃復合薄膜光響應，提高了探測器性能；不斷擴大Ga₂O₃陣列探測器規模，分別對MSM結構陣列和肖特基陣列展開了研究；從紫外成像和通訊方面出發，拓展了Ga₂O₃陣列探測器應用范圍。

據介紹，南郵氧化鎵半導體創新中心(IC-GAO)科研團隊，2014年實現Ga₂O₃外延生長，研制第一支GAO基日盲紫外探測器原型器件，發表第1篇學術論文。2016年Ga₂O₃已經成為北郵活躍的科研主題之一。2017年獲得2英寸高質量外延，研制出第一只日盲紫外探測陣列器件，成為氧化鎵領域的最活躍的研究組，成立北京鎵族科技有限公司邁上產業化實踐之路。2018年承擔北京市科委重點研發計劃，突破3英寸晶體和外延技術。突破2-4英寸單晶生長和外延技術。小批量供應2英寸單晶襯底及外延片。實現16×16光電探測器件陣列化。2023年度完成A輪融資6500萬元，估值2.5億元。

CASICON 系列活動簡介

 “先進半導體產業大會（CASICON）”由【極智半導體產業網】主辦，每年在全國巡回舉辦的行業綜合活動。活動聚焦先進半導體產業發展熱點，聚合產業相關各方訴求，通過“主題會議+項目路演+展覽”的形式，促進參與各方交流合作，積極推動產業發展。CASICON 系列活動將以助力第三代半導體產業為己任，聯合實力資源，持續輸出高質量的活動內容，搭建更好的交流平臺，為產業發展貢獻應盡的力量。

（備注：以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考！）