在碳化硅半導體技術與產業飛速發展的今天，憑借卓越的研發實力，粵海金半導體成功研制出8英寸導電型碳化硅單晶與襯底片。公司成立伊始即堅持創新驅動、科技引領的經營發展理念持續推動技術研發，在省、市、區各級政府及各相關部門的關注與大力支持下，攻克了大量工藝技術難關，在自主研制的碳化硅單晶生長爐上成功制備出直徑超過205毫米的8英寸導電型碳化硅晶體，晶體表面光滑無缺陷，厚度超過20毫米，同時已經順利加工出8英寸碳化硅襯底片。在8英寸碳化硅晶體研發過程中成功解決了大直徑晶體擴徑生長、大尺寸熱場分布和高溫氣相輸運、大尺寸晶體應力控制等關鍵共性技術難題，形成并掌握了完整的工藝解決方案，獲得了質量優良的碳化硅單晶與襯底片，為后續持續提升質量并進行產業化批量生產打下了堅實的基礎。

8英寸導電型碳化硅單晶與襯底片的研制成功，進一步提升了公司在碳化硅半導體材料領域的競爭力，具備了緊跟國內外行業快速發展的技術實力。粵海金半導體以“讓先進半導體產品走進千家萬戶”為愿景，以“成就客戶”為使命核心，聚焦碳化硅半導體材料領域，將持續加大研發與產業化生產投入，在技術創新的基礎上快速提升產品批量交付能力，為下游客戶提供品質更優、更具性價比的碳化硅襯底片產品。

（來源：第三代半導體產業技術戰略聯盟）