2023年11月27-30日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）在廈門國際會議中心召開。本屆論壇由廈門市人民政府、廈門大學、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，廈門市工業(yè)和信息化局、廈門市科學技術局、廈門火炬高新區(qū)管委會、惠新(廈門)科技創(chuàng)新研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。

29日，“碳化功率器件及其封裝技術分會“如期召開，本屆分會得到了三安光電股份有限公司、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、賽邁科先進材料股份有限公司、清軟微視（杭州）科技有限公司、九峰山實驗室、德國愛思強股份有限公司、河北普興電子科技股份有限公司、江蘇博睿光電股份有限公司、哈爾濱科友半導體產(chǎn)業(yè)裝備與技術研究院有限公司、上海瞻芯電子科技有限公司、清純半導體(寧波)有限公司的協(xié)辦支持。

分會上，中國電子科技集團第五十五所研究所副主任設計師黃潤華帶來了“750V SiC MOSFET元胞結(jié)構(gòu)對器件特性的影響研究”的主題報告，研究顯示四種SiC MOSFET單元結(jié)構(gòu)已經(jīng)被酰化，實現(xiàn)并測試了750V條形和改進的六邊形單元結(jié)構(gòu)的SiC MOSFET，改進的六邊形單元結(jié)構(gòu)具有較低的比導通電阻和較高的開關損耗，在下一步工作中，將優(yōu)化單元結(jié)構(gòu)以降低開關損耗。

（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場整理未經(jīng)嘉賓本人確認，僅供參考！）