碳化功率器件因其在高溫、高頻率和高電壓環境下表現出色的特性而受到廣泛關注，發展潛力十分巨大，尤其在高溫、高頻率、高電壓以及對輻射抗性要求較高的特殊環境中具有明顯的優勢。未來隨著制造技術的進步、成本的降低以及對高性能功率器件的不斷需求，碳化功率器件有望在多個領域實現更廣泛的商業應用。與此同時，碳化功率器件封裝技術呈現高度集成化，芯片級封裝技術，先進散熱設計，多層、三維封裝，智能化封裝等多種趨勢。封裝技術不斷演進在適應更高性能、更高集成度和更為復雜應用需求的發展方向。隨著技術的不斷創新和市場的發展，碳化功率器件封裝技術將繼續迎來新的突破和提升。
2023年11月27-30日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）在廈門國際會議中心召開。本屆論壇由廈門市人民政府、廈門大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）主辦，廈門市工業和信息化局、廈門市科學技術局、廈門火炬高新區管委會、惠新(廈門)科技創新研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。
期間，“碳化功率器件及其封裝技術分會“如期召開，本屆分會得到了三安光電股份有限公司、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司、北京北方華創微電子裝備有限公司、賽邁科先進材料股份有限公司、清軟微視（杭州）科技有限公司、九峰山實驗室、德國愛思強股份有限公司、河北普興電子科技股份有限公司、江蘇博睿光電股份有限公司、哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司、上海瞻芯電子科技有限公司、清純半導體(寧波)有限公司的協辦支持。
分會上，來自北卡羅來納州立大學、日本大阪大學、西安交通大學、浙江大學、復旦大學、山東大學、湖南大學、廈門大學、天津工業大學、桂林電子科技大學、中國電子科技集團第五十五所、湖北九峰山實驗室、、中國科學院上海微系統與信息技術研究所、北京智慧能源研究院懷柔實驗室、三安光電、上海瞻芯電子、德國賀利氏電子、北方華創、華為數字能源、博睿光電等國內外實力派科研院所及企業代表性力量齊聚，共同探討碳化功率器件及其封裝技術前沿發展趨勢及最新動向。浙江大學電氣工程學院院長、教授盛況主持了本屆分會。
浙江大學電氣工程學院院長、教授盛況
Victor Valiads--Power Amarica 首席技術官、北卡羅來納州立大學教授 視頻報告
SiC chip cost, impact of defects, and the case of price parity with Si at the system level
王德君--大連理工大學教授
《提升SiC MOS 器件性能可靠性的表面優化途徑》
葉念慈--三安半導體技術總監
《產業鏈垂直整合如何為SiC功率器件工廠賦能》
張軼銘--北京北方華創微電子裝備有限公司
《面向SiC功率器件的裝備與工藝解決方案 》
曹峻--上海瞻芯電子科技有限公司副總經理
《碳化硅車載功率轉換解決方案 》
陳傳彤--日本大阪大學副教授
《SiC功率模塊中微米級Ag燒結連接技術的進展》
王來利-西安交通大學紹興市通越寬禁帶半導體研究院院長、教授
《碳化硅功率半導體多芯片封裝技術》
董侃--德國賀利氏電子功率市場經理
《先進燒結解決方案》
袁俊—湖北九峰山實驗室功率器件負責人
《新型碳化硅溝槽器件技術研究進展》
黃潤華--中國電子科技集團第五十五所研究所副主任設計師
《750V SiC MOSFET元胞結構對器件特性的影響研究》
張鑾喜--浙江大學
《具有分離保護溝槽柵的超低導通電阻SiC LDMOS和Trench RESURF技術》
張園覽--復旦大學
《1200-V SiC MOSFET在不同總電離劑量下的退化與恢復》
陳家祺--湖南大學
《總電離劑量輻射對1200V溝道型SiC功率MOSFET雪崩穩定性的影響》
張國良--廈門大學
《一種新型短超結碳化硅絕緣柵雙極晶體管》
（備注：以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考！）
