當前，第三代化合物半導體應用廣泛，化合物半導體材料在電子器件制造中扮演著重要角色。其中半導體襯底和外延層的質量對器件性能至關重要，檢測這些材料中的缺陷是確保高性能器件制造成功的關鍵一步，有助于確保產品質量、提高生產效率，同時也為材料研究和新技術的發展提供了關鍵的支持。

近日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）在廈門國際會議中心召開。期間在“碳化硅襯底、外延生長及其相關設備技術”分會上，清軟微視（杭州）科技有限公司總經理周繼樂帶來了“碳化硅襯底、外延生長及其相關設備技術”的主題報告。

清軟微視是清華大學知識產權轉化的高新技術企業，專注于化合物半導體視覺領域量檢測軟件與裝備研發。其自主研發的針對碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的襯底和外延無損檢測裝備Omega系列產品，可以檢測碳化硅和氮化鎵晶片在生產制造過程中產生的表面缺陷和內部晶格缺陷，支持BF/DIC/DF/PL 多種成像方式，已經通過五家主流廠商的六大類數千塊量產片測試驗證。報告顯示，Omega系列化合物襯底和外延檢測設備，應用于多尺寸SiC/GaN 等襯底/外延生產過程。支持DIC/明場/多角度暗場/PL成像方式的自由配置組合。適用于透明/半透明/不透明襯底/外延片 表面/側邊/背面缺陷檢測。

其Omega 9880是針對碳化硅襯底和外延的檢測設備。多配置DY預估結果同時輸出，使用直方圖、Wafer Map、Charts等形式對單次或批量檢測結果進行分析，數據庫存儲時間超過兩年，可隨時檢索。兼容主流廠商Mapping數據交換格式。檢測結果數據支持 FTP、HTTP、共享目錄等多種方式上傳，可合并不同功能檢測設備、不同產商檢測設備的 Mapping結果。報告指出，Omega 9880與對標機臺成像方案均為集成了 DIC明場與PL的顯微成像方式，算法檢測基于圖像成像信號進行缺陷檢測與分類。

結合實踐，報告認為，目前行業仍需要思考，是否存在完美的無損缺陷檢測方法，以及探索缺陷的轉化、關聯分析。

（備注：以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考！）