材料的更替是現代科技進步的根本推動力。作為第三代半導體材料，立方氮化硼（c-BN）具有僅次于金剛石的硬度，在高溫下良好的化學穩定性、耐腐蝕、抗氧化、超寬帶隙、高熱導率、低介電常數、高擊穿場強、高飽和漂移速度和可發射及探測至深紫外的短波長光，可以通過摻雜得到n型或p型半導體材料等諸多特性，在大功率電子學、深紫外光電子學和量子通信等領域具有很大的應用前景。當前六方氮化硼在第三代半導體中的具體應用仍然處于研究和探索階段。未來，隨著對新型材料的深入理解和技術的不斷發展，六方氮化硼等材料可能會在第三代半導體領域中找到更多的應用。

近日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）在廈門國際會議中心召開。期間，“超寬禁帶半導體技術分會“上，鄭州大學魯正乾分享了六方氮化硼的研究進展。涉及表面形態和XRD、外延氮化硼與襯底之間的界面、晶體取向、Sp2結合驗證等內容。

研究顯示，藍寶石、AlN/藍寶石模板和金剛石襯底上生長的hBN，在不同襯底上生長的所有BN膜都觀察到褶皺圖案，生長的氮化硼薄膜可以看到Sixfold對稱性，表明形成了六邊形氮化硼。B（~190eV）和N（~401eV）的K邊上的π*和σ*能量損失。平面外延關系：[0001]h-BN ∥ [0001]sapphire and [10-10]h-BN ∥ [11-20]sapphire；[0001]h-BN ∥ [0001]AlN and [10-10]h-BN ∥ [11-20] AlN；[0001]hBN ∥[111]diamond and [10-10]hBN ∥ [11-2]diamond；

（備注：以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考！）