半導體產業網獲悉：1月17日，高性能半導體材料科研成果轉化框架協議簽約儀式在青島天安科創城舉行。儀式上，青島大商電子有限公司總經理茍釗迪與國家高速列車技術創新中心副主任劉韶慶簽署了合作協議。
根據協議，雙方將共同推動高性能半導體材料關鍵技術研發與成果轉化，開發具有自主知識產權的高純度焊接復合材料及其釬焊技術體系，為第三代半導體高可靠封裝技術的國產化提供科學基礎和技術支撐，保障半導體等相關先進制造業的產業鏈安全和高質量發展具有重要意義。
據了解，第三代半導體可以滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求，是軌道交通、新能源汽車、5G、人工智能、工業互聯網等多個“新基建”產業的重要材料，同時也是世界各國半導體研究領域的熱點。其在國防、航空、航天、石油、是有勘探、光存儲等領域有重要應用場景，在寬帶通訊、太陽能、汽車制造、半導體照片、智能電網等眾多戰略行業，可以降低50%以上的能量損失，最高可以使裝備體積減小75%以上。
國家高速列車技術創新中心是科技部和國資委聯合批復的第一個國家級技術創新中心，多年來始終立足于軌道交通產業研發與應用，積極組織推動“政產學研用”相結合的科技成果轉移轉化與產業培育，致力于為行業發展提供源頭技術供給、為地方經濟發展獻策助力。
青島大商電子有限公司是我區專注于第三代半導體封裝用活性金屬釬焊 (AMB) 陶瓷基板的研發生產，具備活性金屬釬焊 (AMB) 自主正向研發實力與大規模量產經驗的本土企業。通過本次合作，雙方將進一步加強產學研用深度融合，引導創新要素和產業要素高效對接，促進人才培養、技術研發和協同創新，推進重大成果產業化，賦能行業創新發展。
