振華科技近日在投資者在互動平臺表示：“十四五”期間，公司大力發展以SiC、GaN為代表的第三代半導體，SiC方面，未來，公司將具備芯片自主設計、封測能力，實現SiC SBD系列產品自制，同時開展SiC VDMOS系列產品的設計開發工作，形成SiC VDMOS設計能力。