近日，嘉興斯達高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發及產業化項目、中國電科（山西）碳化硅材料產業基地二期項目、合盛硅業旗下的年產800噸電子級碳化硅顆粒材料及60萬片碳化硅切割片項目等將于3月開始投產/試產。

嘉興斯達高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發及產業化項目預計3月投產

3月4日，浙江嘉興南湖區發布消息稱，南湖區有14個項目入選浙江省“千項萬億”工程，其中披露了嘉興斯達高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發及產業化項目等3個項目將于今年投產。

項目建設地點位于嘉興南湖區，總投資20億元，總用地面積279畝，新增建筑面積20.6萬平方米，新建生產廠房、動力樓、危化倉庫等建構筑物，購置包括光刻機、涂膠顯影機等工藝設備。建設單位為嘉興斯達微電子有限公司，建設工期為2022-2024年，項目于2022年1月3日開工，計劃2024年3月投入使用。項目投產后可實現年產36萬片功率芯片生產能力，年產值10億元，可實現年稅收4億元。

中國電科（山西）碳化硅材料產業基地二期項目3月可投入試生產

1月8日，據“太原日報”消息，山西爍科晶體有限公司中國電科（山西）碳化硅材料產業基地（二期）項目已具備設備進廠條件，預計將在1月底前開始進場設備，2024年3月可投入試生產。

中國電科（山西）碳化硅材料產業基地（二期）項目投資5億元，主要建設包括單晶生產車間、動力配套等在內的總面積1.6萬平方米的綜合性廠房。項目于2023年9月份開始建設，10月份進入主體鋼結構施工，11月主體完成封頂。預計2025年投產，投產后年產能可達30萬片SiC襯底。

值得一提的是，中國電科(山西)碳化硅材料產業基地一期項目早在2020年2月實現投產。一期項目總投資為50億元，達產后具備年產10萬片4-6英寸N型碳化硅單晶晶片、5萬片4-6英寸高純半絕緣型碳化硅單晶晶片的生產能力。

據了解，山西爍科晶體成立于2018年，是國內從事第三代半導體材料碳化硅生產和研發的領軍企業。中國電科（山西）碳化硅材料產業基地（二期）項目是2023年山西省重點工程項目，也是山西爍科晶體有限公司瞄準“成為國內卓越、世界一流的碳化硅材料供應商”這一目標打造的一張關鍵拼圖。

合盛硅業旗下年產800噸電子級碳化硅顆粒材料

及60萬片碳化硅切割片項目預計今年3月試生產

1月6日，據“青橙融媒”消息，合盛硅業旗下的“年產800噸電子級碳化硅顆粒材料及60萬片碳化硅切割片項目”預計今年3月初試生產。

據了解，該項目由合盛硅業子公司內蒙古賽盛新材料有限公司建設，項目于在2023年9月中旬引進呼和浩特金山高新區，10月3日項目開工。目前，現場鋼結構吊裝、基礎梁混凝土澆筑等工作正有序推進。

該項目位于呼和浩特市賽罕區昭烏達路街道金橋開發區，總投資20億元，新建生產廠房3幢以及新建配電房、空壓站、庫房等生產配套用房。占地面積約為190畝，項目計劃建設起止年限為2023年11月至2025年11月。11月10日，該項目備案通過。

“金山高新技術開發區在用地、生活設施、給水供電等方面給我們提供了很大的支持。一期年產800噸電子碳化硅和60萬片的碳化硅項目，預計今年3月初試產。”內蒙古賽盛新能源材料有限公司現場執行經理楊建明說。

來源：綜合南湖發布、太原日報、青橙融媒等