芯聯(lián)集成近日在回答投資者提問(wèn)時(shí)表示，公司從2021年起投入SiC MOSFET芯片、模組封裝技術(shù)的研發(fā)和產(chǎn)能建設(shè)，兩年時(shí)間完成了3輪技術(shù)迭代，完成了應(yīng)用于主驅(qū)的平面SiC MOSFET技術(shù)的突破。目前，公司最新一代的SiC MOSFET產(chǎn)品性能已達(dá)世界領(lǐng)先水平，用于車(chē)載主驅(qū)逆變器的SiC MOSFET器件和模塊也于2023年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。截至2023年12月，公司6英寸SiC MOSFET產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)出5000片以上，2024年公司還將計(jì)劃建成國(guó)內(nèi)首條8英寸SiC MOSFET試驗(yàn)線。 公司已與多家頭部車(chē)企進(jìn)行合作，未來(lái)將繼續(xù)拓展更多新能源汽車(chē)主機(jī)廠和零部件客戶。隨著產(chǎn)品驗(yàn)證的推進(jìn)和產(chǎn)能的不斷提升，SiC MOSFET產(chǎn)品上車(chē)數(shù)量將迅速提升，營(yíng)業(yè)收入也將大幅增長(zhǎng)，繼續(xù)鞏固公司在國(guó)內(nèi)車(chē)規(guī)級(jí)芯片代工與模組封測(cè)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。