4月18日，能華半導體張家港制造中心（二期）項目在張家港經開區再制造基地正式開工建設。

能華半導體張家港制造中心（二期）項目總投資6000萬元，規劃建設生產廠房及配套設施，總建筑面積約10000平方米，采用先進半導體外延、測試等工藝技術，購置MOCVD、XRD衍射儀、AFM原子力顯微鏡等設備，新建GaN外延片產線。項目投產后，將形成月產15000片6英寸GaN外延片的生產能力。該項目將對張家港經開區半導體產業進行橫向擴能和縱向延伸，進一步增強在半導體領域的戰略布局。

幸福楊舍消息顯示，江蘇能華微電子科技發展有限公司是主要從事設計、研發、生產和銷售以GaN為代表的復合半導體高性能晶圓、功率器件、芯片和模塊的高新技術企業。擁有包括外延材料、功率芯片和器件、射頻晶圓等行業內最全的產品線，是國內第三代半導體領軍企業。

江蘇能華微電子科技發展有限公司官微顯示，作為行業領先的以氮化鎵功率器件為主的IDM公司， 江蘇能華微電子科技發展有限公司目前的產品線涵蓋氮化鎵外延片、 氮化鎵功率場效應管、氮化鎵集成功率器件以及氮化鎵芯片代工等。并且能華半導體是全球少數同時掌握增強型GaN技術、 耗盡型GaN技術和耗盡型GaN直驅方案的半導體公司。

 （來源：集微）