近日，清純半導體推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術平臺，該平臺首款主驅芯片（型號：S3M008120BK）的常溫導通電阻低至8mΩ。該平臺通過專利技術和工藝完善，實現了領先國際同類產品的比導通電阻系數Rsp=2.1 mΩ.cm²，如圖1所示，進一步實現高電流處理能力和更小損耗，幫助新能源汽車電機驅動器進一步釋放SiC高功率密度及高能量轉化效率潛力，提高續航里程。

圖1 清純半導體1、2、3代產品比電阻Rsp變化

該產品額定電壓為1.2kV，額定電流超過220A，室溫閾值電壓典型值為2.7~2.8V。圖2分別給出了該芯片在常溫及高溫的輸出特性曲線，體現了優良的導通電阻溫度特性。在等效的芯片面積下，與上一代技術相比導通損耗降低約20%，能夠以更高的效率、更小的封裝和更高的可靠性實現應用設計。值得指出的是，和傳統芯片迭代技術方式不同，該芯片在降低導通電阻的同時保持了與前兩代相近的優良短路耐受特性。

圖2 S3M008120BK芯片輸出特性

在動態性能方面，該芯片在相同芯片尺寸下寄生電容進一步降低，提高了開關速度。更重要的是，產品通過設計及制造技術的優化，顯著改善了MOSFET體二極管的反向恢復特性，峰值電流Irrm實現了近30%的降低，同時軟度tb/ta得到了大幅優化，電壓過沖Vrrm也得到了顯著改善（圖3）。這對高速開關應用的損耗降低，以及多芯片并聯應用的動態均流，都尤為重要。

圖3 S3M008120BK芯片與2代同類產品反向恢復波形對比

第3代產品除了優異的性能改進，還繼承了前兩代產品在可靠性方面的優勢，包括通過了傳統柵極可靠性試驗對HTGB的考核、柵氧馬拉松試驗對壽命評估及高壓H3TRB、復合應力C-HTRB等加嚴可靠性試驗的測試。DRB、DGS等動態可靠性評估結果表明：第三代產品在動態可靠性試驗前后電參數保持穩定，更適合主驅等多芯片并聯應用場景，以確保系統在長期使用后依然具有較優的均流特性。

清純半導體本次推出的第三代MOSFET技術平臺核心參數及各類可靠性已經實現了與國際主流廠商最領先產品的對標。技術的創新和產品的領先將助力公司持續為客戶創造更多價值，推動行業的持續發展。

（來源：清純半導體）