7月5日，株洲諾天電熱科技有限公司碳化硅半導體設備與基材生產基地項目主體結構順利封頂。株洲諾天電熱科技有限公司碳化硅半導體設備與基材生產基地項目備案證明顯示，該項目總投資1.5億元。

碳化硅半導體設備與基材生產基地項目位于株洲市天元區栗塘路以東、樂山大道以西、湘蓮大道以南、創業一路以北，項目用地面積約14041平方米，建筑面積約11200平方米，主要建設內容為建設碳化硅設備研發及深度加工、高純碳化硅基材的生產基地，以半導體變流技術為依托，集科研開發、生產經營為一體的科技型產業集群。

株洲高科集團消息顯示，3月21日，株洲高科建設工程有限公司成功中標碳化硅半導體設備與基材生產基地項目，中標金額為2078萬元。該項目由株洲諾天電熱科技有限公司投資建設，建設內容包括工業廠房及配套辦公設施建設，總建筑面積為11211.89平方米。