江蘇第三代半導體研究院應用高質量同質外延技術，在攻克再生長界面問題、晶體質量再提升、外延材料均勻性等方面做了大量的技術攻關，不斷深挖和優化顯示應用Micro-LED外延結構。 

近期，南方科技大學劉召軍教授團隊在“超高分辨率Micro-LED顯示技術聯合研發中心”支持下，與王國斌博士團隊合作，在超高性能同質外延Micro-LED取得新突破。通過零應力工程技術開發低極化效應同質外延片，制造的相關器件和AR/MR顯示模組，實現了優越的單色性和波長穩定性，并在高電流密度下表現出優越的發光特性。 

隨著材料科學和器件設計的不斷進步，同質外延Micro-LED有望在提高亮度、降低功耗和擴展色域等方面取得更大突破。 “超高性能同質外延Micro-LED”研發成果以《Ultra-low-defect homoepitaxial micro-LEDs with enhanced efficiency and monochromaticity for high-PPI AR/MR displays》為題發表于今年8月《PhotoniX》

 江蘇第三代半導體研究院材料生長創新平臺，面向產業需求，聚焦關鍵共性技術，著力布局同質外延技術，深入開展Micro-LED和激光器，電力電子，微波射頻材料和器件技術攻關。研究院積極參與國家科技部、省科技廳、基礎研究計劃自然科學基金等“新型顯示與戰略電子材料”、“面向顯示與通信融合應用”等課題，在GaN 同質藍綠光 Micro-LED 外延片及芯片工藝、GaNMicro-LED 結構外延及器件制備獲得系列研究成果。

研究院與深圳市思坦科技有限公司共建超高分辨率Micro-LED顯示技術聯合研發中心，共同解決Micro-LED器件開發的核心材料、芯片工藝等關鍵科學和共性技術問題，成功開發出藍、綠Micro-LED器件，單顆像素尺寸≤2μm。項目還創新性地采用微納加工技術提升器件的光電性能。“1+N+X”協同創新聯合共建模式進一步推動第三代半導體產業創新發展。 

發表于：PhotoniX

論文鏈接：https://photonix.springeropen.com/articles/10.1186/s43074-024-00137-4

文獻檢索：PhotoniX 5, 23 (2024). https://doi.org/10.1186/s43074-024-00137-4

來源：江蘇第三代半導體研究院