河北保定近日迎來第三代半導體產業重要突破——河北同光半導體股份有限公司國家級企業技術中心正式揭牌，同時年產20萬片碳化硅單晶襯底項目全面啟動。該項目總投資8.82億元，目標產品為8英寸碳化硅襯底，預計2027年實現完全投產。

碳化硅單晶襯底是支撐新能源汽車、5G通信、光伏發電等的核心基礎材料。同光半導體憑借十余年技術攻關，成功突破8英寸導電型碳化硅晶體生長技術，目前已在保定布局500余臺晶體生長爐。“從4英寸到8英寸的技術跨越，不僅是尺寸的突破，更是材料性能的大幅提升。”同光半導體科技項目經理馬林表示，相較于當前主流的6英寸襯底，8英寸產品可使芯片產出量增加近90%，顯著降低器件成本。企業已攻克高純度原料合成、低位錯密度缺陷控制等62項核心技術，累計獲得授權專利70余項。

保定市的戰略性布局為產業發展注入強勁動能。《保定市第三代半導體產業發展三年行動計劃》構建起“基礎研究—中試孵化—規模量產”的創新生態鏈。依托與中國科學院半導體研究所共建的聯合研發中心，保定已形成從晶體生長、超精密加工到檢驗檢測的完整碳化硅襯底產業鏈。

隨著保定市淶源縣10萬片襯底項目達產和保定新基地建設，同光半導體正加大創新投入，為企業的長遠發展和行業的進步注入源源不斷的動力。同光半導體股份有限公司董事長鄭清超表示，公司將進一步加大研發投入，努力攻克關鍵核心技術難題，繼續加強在大尺寸碳化硅襯底制備技術上的研發探索，圍繞國家重大戰略需求，為第三代半導體產業發展作出更大貢獻。

保定市發改委創新和高技術發展科科長崔旭表示，當前全市研發投入強度已提升至3.2%，保定在第三代半導體領域的技術成果轉化效率較行業平均水平高出40%，專利授權周期縮短至60個工作日。

（來源：經濟日報新聞）